ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS
при низких температурах

А.С.Батырев *, Р.А.Бисенгалиев *, Н.В.Жукова *, Б.В.Новиков, Э.И.Читыров

* Калмыцкий государственный университет,
358000 Элиста, Россия
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
E-mail: chityrov@mail.ru

(Поступила в Редакцию 18 марта 2003 г.
В окончательной редакции 14 апреля 2003 г.)

С использованием метода эффекта поля экспериментально исследована роль приповерхностного электрического поля в формировании низкотемпературных (T=77 K) спектров фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS в области экситонных и межзонных переходов. Выполнены численные расчеты спектров ФП полупроводника в модели, учитывающей зависимость темпа поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда от электрического поля на его поверхности. Показана определяющая роль приповерхностного электрического поля в формировании тонкой структуры спектров, обусловленной экситонами. Установлена связь между ее типом и характером приповерхностного изгиба энергетических зон. Продемонстрирована принципиальная возможность оценки поверхностного электрического поля по форме спектральной кривой низкотемпературной ФП полупроводника.

 PDF версия (175Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster