Издателям
Вышедшие номера
Моделирование температурной зависимости энергии ионизации водородоподобных примесей в полупроводниках: применение к трансмутационно легированному Ge : Ga
Поклонский Н.А.1, Вырко С.А.1, Забродский А.Г.2, Егоров С.В.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: poklonski@bsu.by
Поступила в редакцию: 1 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Развита электростатическая модель, описывающая зависимость термической энергии ионизации (ТЭИ) примесей от их концентрации, степени компенсации и температуры. Модель учитывает экранирование ионов прыгающими по примесям дырками (электронами), изменение ширины примесной зоны, а также смещение ее положения относительно края v-зоны для акцепторов (c-зоны для доноров). Смещение примесной зоны обусловлено функциональной зависимостью энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) от экранирования кулоновских полей ионов. Пространственное распределение ионов примесей по кристаллу принималось пуассоновским, а энергетическое --- нормальным (гауссовым). Для исследованных (относительно невысоких) уровней легирования ход плотности состояний на краях v- и c-зон предполагался таким же, как и у нелегированного кристалла. Результаты численного моделирования согласуются с наблюдаемым на умеренно компенсированном Ge : Ga уменьшением энергии ионизации с температурой и уровнем легирования. При малых степенях компенсации предсказывается существование небольшого аномального максимума в температурной зависимости ТЭИ. Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант Ф01-199) и Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17813 и 00-15-96750).
  • Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. Радио и связь, М. (1990)
  • Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП 33, 415 (1999)
  • Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ФТП 33, 402 (1999)
  • В. Штиллер. Уравнение Аррениуса и неравновесная кинетика. Мир, М. (2000)
  • В. Эбелинг, В. Крефт, Д. Кремп. Теория связанных состояний и ионизационного равновесия в плазме и твердом теле. Мир, М. (1979)
  • S.K. Chun. J. Appl. Phys. 80, 4773 (1996)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. Мир, М. (1964)
  • Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов, С.М. Городецкий, Г.С. Куликов. Компенсированный кремний. Наука, Л. (1972)
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Мир, М. (1977)
  • В.О. Барисс, Э.Э. Клотыньш. Определение параметров локального уровня в полупроводниках. Зинатне, Рига (1978)
  • J.H. Nevin, H.T. Henderson, K.L. Shen. Mater. Res. Bull. 17, 1111 (1982)
  • А.Г. Андреев, В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.Г. Забродский, Е.А. Петрова. ФТП 29, 2218 (1995)
  • А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, И.П. Звягин, С.В. Егоров. ФТП 31, 1174 (1997)
  • А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП 34, 46 (2000)
  • M.N. Alexander, D.F. Holcomb. Rev. Mod. Phys. 40, 815 (1968)
  • М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. ФТП 21, 810 (1987)
  • T. Tshepe, J.F. Prins, M.J.R. Hoch. Diamond and Related Materials 8, 1508 (1999)
  • H. Sternschulte, T. Albrecht, K. Thonke, R. Sauer. 23rd Int. Conf. The Physics of Semiconductors. Berlin, Germany (1996). World Scientific, Singapore (1996). Vol. 1. P. 169
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП 14, 825 (1980)
  • Ю.Я. Ткач, Е.В. Ченский. ЖЭТФ 102, 1683 (1992)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990)
  • K. Seeger. Semiconductor physics: An introduction. Springer, Berlin (1999)
  • А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП 28, 168 (1994)
  • Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Под ред. Дж. Миза. Мир, М. (1982)
  • И.С. Шлимак. ФТТ 41, 794 (1999)
  • Дж. Займан. Модели беспорядка. Мир, М. (1982)
  • Т.М. Лифшиц. ПТЭ 1, 10 (1993)
  • Semiconductors--Basic Data / Ed. by O. Madelung. Springer, Berlin (1996)
  • Handbook Series on Semiconductor Parameters / Ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur. World Scientific, Singapore (1996). Vol. 1; World Scientific, Singapore (1999). Vol. 2
  • В.С. Вавилов. УФН 167, 17 (1997)
  • A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. Stat. Sol. (b) 205, 61 (1998)
  • Н.А. Поклонский. Изв. вузов. Физика 27, 41 (1984)
  • И.С. Шлимак, В.В. Емцев. Письма в ЖЭТФ 13, 153 (1971)
  • N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Stat. Sol. (b) 88, K165 (1978)
  • А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 81, 1940 (1981)
  • Н.В. Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП 13, 1763 (1979)
  • Л.В. Говор, В.П. Добрего, Н.А. Поклонский. ФТП 18, 2075 (1984)
  • А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ФТП 21, 922 (1987)
  • H.-J. Hoffmann. Appl. Phys. 19, 307 (1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.