ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Моделирование температурной зависимости энергии ионизации водородоподобных примесей в полупроводниках: применение к трансмутационно легированному Ge : Ga

Н.А.Поклонский, С.А.Вырко, А.Г.Забродский *, С.В.Егоров *

Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Белоруссия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: poklonski@bsu.by

(Поступила в Редакцию 1 апреля 2003 г.)

Развита электростатическая модель, описывающая зависимость термической энергии ионизации (ТЭИ) примесей от их концентрации, степени компенсации и температуры. Модель учитывает экранирование ионов прыгающими по примесям дырками (электронами), изменение ширины примесной зоны, а также смещение ее положения относительно края v-зоны для акцепторов (c-зоны для доноров). Смещение примесной зоны обусловлено функциональной зависимостью энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) от экранирования кулоновских полей ионов. Пространственное распределение ионов примесей по кристаллу принималось пуассоновским, а энергетическое --- нормальным (гауссовым). Для исследованных (относительно невысоких) уровней легирования ход плотности состояний на краях v- и c-зон предполагался таким же, как и у нелегированного кристалла. Результаты численного моделирования согласуются с наблюдаемым на умеренно компенсированном Ge : Ga уменьшением энергии ионизации с температурой и уровнем легирования. При малых степенях компенсации предсказывается существование небольшого аномального максимума в температурной зависимости ТЭИ.

Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант Ф01-199) и Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17813 и 00-15-96750).

 PDF версия (192Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster