ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Плотность состояний в примесной d-зоне и неупругое рассеяние электронов на системе ионов железа со смешанной валентностью в кристаллах HgSe : Fe

И.Г.Кулеев, И.И.Кулеев, И.Ю.Арапова, Л.Д.Сабирзянова

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
E-mail: kuleev@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию 19 февраля 2003 г.)

Проведены экспериментальные исследования удельного сопротивления и коэффициента Холла на кристаллах HgSe : Fe c различным содержанием железа в области температур 1.3=< T=<300 K и в магнитных полях до 60 kOe. Определены температурные зависимости концентрации и подвижности электронов проводимости в исследованных кристаллах. Рассмотрено влияние пространственного упорядочения зарядов в системе ионов железа со смешанной валентностью на примесные состояния в кристаллах HgSe : Fe. Проведен теоретический анализ плотности состояний в примесной d-зоне, а также неупругого рассеяния электронов, связанного с перезарядкой двух- и трехвалентных ионов железа в акте рассеяния. Показано, что экспериментально обнаруженные особенности поведения концентрации электронов и их подвижности при изменении содержания примесей железа и температуры могут быть объяснены влиянием кулоновских корреляций в системе ионов железа со смешанной валентностью на структуру примесной d-зоны.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 00-02-16299, 02-02-06156), а также Фонда \glqq Династия\grqq и МЦФФМ.

 PDF версия (276Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster