ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсульфата

М.Н.Левин, В.В.Постников, М.Ю.Палагин *

Воронежский государственный университет,
394693 Воронеж, Россия
E-mail: levin@lev.vsu.ru
* Воронежский государственный технический университет,
394026 Воронеж, Россия

(Поступила в Редакцию 26 ноября 2002 г.
В окончательной редакции 10 февраля 2003 г.)

Впервые обнаружен эффект селективного воздействия постоянного магнитного поля на характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата. В результате непродолжительного (минуты) воздействия слабого магнитного поля B0=0.08± 0.01 T наблюдались долговременные (сотни часов) изменения спонтанной поляризации, коэрцитивного поля, температуры Кюри и диэлектрической проницаемости кристалла в точке Кюри. Селективный характер эффекта предположительно связан с участием протонов водородных связей в спин-зависимых процессах трансформации дефектных комплексов реального кристалла.

 PDF версия (191Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster