Издателям
Вышедшие номера
Вклад механических напряжений в самополяризацию тонких сегнетоэлектрических пленок
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Гольцев А.В.1, Афанасьев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Обсуждается вклад механических напряжений, возникающих за счет различия в температурных коэффициентах линейного расширения подложки и сегнетоэлектрической пленки, в величину самополяризации на примере тонких пленок цирконата-титаната свинца PbZrxTi1-xO3 (PZT) разных составов. Согласно развиваемым представлениям, природа самополяризации связывается с внутренними поляризующими электрическими полями, вызванными различной плотностью заряда на поверхностных состояниях интерфейсов сегнетоэлектрического слоя, тогда как растягивающие или сжимающие механические напряжения способны лишь изменить ориентацию поляризации, что приводит к увеличению или уменьшению величины самополяризации. Рассматриваются проблемы повышения эффективности использования пленок PZT в приемниках ИК-излучения и устройствах памяти. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (E02-3.4-89).
  1. M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. 26, 4, 550 (1987)
  2. E. Sviridov, I. Sem, V. Alyoshin, S. Biryukov, V. Dudkevich. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361, 141 (1995)
  3. А.В. Гориш, В.П. Дудкевич, М.Ф. Куприянов, А.Е. Панич, А.В. Турик. Пьезоэлектрическое приборостроение. Т. 1: Физика сегнетоэлектрической керамики. Издательское предприятие редакции журнала "Радиотехника". М. (1999). 368 с
  4. R. Dat, D.J. Lichtenwalner, O. Auciello, A.I. Kingon. Integr. Ferroelectrics 5, 275 (1994)
  5. G.A.C.M. Spierings, G.J.M. Dormans, W.G.J. Moors, M.J.E. Ulenaers, P.K. Larsen. J. Appl. Phys. 78, 1926 (1995)
  6. H. Maiwa, N. Ishinose, K. Okazaki. Jpn. J. Appl. Phys. 33 (Pt I), 9B, 5240 (1994)
  7. A.L. Kholkin, K.G. Brooks, D.V. Taylor, S. Hiboux, N. Setter. Integr. Ferroelectrics 22, 525 (1998)
  8. J. Lee, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 68, 4, 484 (1996)
  9. S. Okamura, S. Miyata, Y. Mizutani, T. Nishida, T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Pt I), 9B, 5364 (1999)
  10. V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Yu. Kaptelov, J. Graul. J. Phys.: Cond. Matter 13, 39, 8755 (2001)
  11. И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, В.П. Афанасьев. ФТТ 44, 9, 1659 (2002)
  12. I.P. Pronin, E.Yu. Kaptelov, E.A. Tarakanov, L.M. Sorokin, V.P. Afanasjev, A.V. Pankrashkin. Integr. Ferroelectrics 49, 285 (2002)
  13. J. Frey, F. Schlenkrich, A. Schonecker. Integr. Ferroelectrics 35, 195 (2001)
  14. R. Bruchhaus, D. Pitzer, M. Schreiter, W. Wersing. J. Electrocer. 3, 2, 151 (1999)
  15. M. Kobune, H. Ishito, A. Mineshige, S. Fujii, R. Takayama, A. Tomozawa. Jpn. J. Appl. Phys. 37 (Pt I), 9B, 5154 (1998)
  16. S. Hiboux, P. Muralt. Integr. Ferroelectrics 36, 83 (2001)
  17. R. Jimenez, C. Alemany, J. Mendiola. Ferroelectrics 268, 131 (2002)
  18. C.H. Choi, J. Lee, B.H. Park, T.W. Noh. Integr. Ferroelectrics 18, 39 (1997)
  19. K.W. Kwok, B. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Chov. Ferroelectrics 271, 69 (2002)
  20. G.E. Pike, W.L. Warren, D. Dimos, B.A. Tuttle, R. Ramesh, J. Lee, V.G. Keramidas, J.T. Evans. Appl. Phys. Lett. 66, 4, 484 (1995)
  21. W.L. Warren, B.A. Tuttle, D. Dimos, G.E. Pike, H.N. Al-Shareef, R. Ramesh, J.T. Evans. Jpn. J. Appl. Phys. 35 (Pt I), 2B, 1521 (1996)
  22. R. Poyato, M.L. Calzada, J. Ricote, L. Pardo, B. Willing. Integr. Ferroelectrics 35, 77 (2001)
  23. E.G. Lee, J.S. Park, J.K. Lee, J.G. Lee. Thin Solid Films 310, 327 (1997)
  24. E.G. Lee, J.K. Lee, J.-Y. Kim, J.G. Lee, H.M. Jang, S.J. Kim. J. Mater. Sci. Lett. 18, 2025 (1999)
  25. R. Kohler, N. Neumann, N. Heb, R. Bruchhaus, W. Wersing, M. Simon. Ferroelectrics 201, 83 (1997)
  26. R. Kohler, G. Suchaneck, P. Padmini, T. Sandner, G. Gerlach, G. Hofmann. Ferroelectrics 225, 57 (1999)
  27. M. Grossmann, O. Lohse, T. Scheller, D. Bolten, U. Boettger, J.R. Contreras, H. Kohlstedt, R. Waser. Integr. Ferroelectrics 37, 205 (2001)
  28. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica B 311, 250 (2002)
  29. K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano, T. Kawakubo. Jpn. J. Appl. Phys. 36 (Pt I), 9B, 5846 (1997)
  30. T. Yasumoto, N. Yanase, K. Abe, T. Kawakubo. Jpn. J. Appl. Phys. 39 (Pt I), 9B, 5369 (2000)
  31. B.G. Shirane, K. Suzuki, A. Takeda. J. Phys. Soc. Jap. 7, 1, 12 (1952)
  32. Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. Пьезоэлектрическая керамика. Мир, М. (1974). 288 с
  33. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Наука, М. (1978). 615 с
  34. K.A. Vorotilov, M.I. Yanovskaya, O.A. Dorokhova. Integr. Ferroelectrics 3, 33 (1993)
  35. A.K. Tagantsev, I. Stolichnov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.