Издателям
Вышедшие номера
Вклад механических напряжений в самополяризацию тонких сегнетоэлектрических пленок
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Гольцев А.В.1, Афанасьев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Обсуждается вклад механических напряжений, возникающих за счет различия в температурных коэффициентах линейного расширения подложки и сегнетоэлектрической пленки, в величину самополяризации на примере тонких пленок цирконата-титаната свинца PbZrxTi1-xO3 (PZT) разных составов. Согласно развиваемым представлениям, природа самополяризации связывается с внутренними поляризующими электрическими полями, вызванными различной плотностью заряда на поверхностных состояниях интерфейсов сегнетоэлектрического слоя, тогда как растягивающие или сжимающие механические напряжения способны лишь изменить ориентацию поляризации, что приводит к увеличению или уменьшению величины самополяризации. Рассматриваются проблемы повышения эффективности использования пленок PZT в приемниках ИК-излучения и устройствах памяти. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (E02-3.4-89).
  • M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. 26, 4, 550 (1987)
  • E. Sviridov, I. Sem, V. Alyoshin, S. Biryukov, V. Dudkevich. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361, 141 (1995)
  • А.В. Гориш, В.П. Дудкевич, М.Ф. Куприянов, А.Е. Панич, А.В. Турик. Пьезоэлектрическое приборостроение. Т. 1: Физика сегнетоэлектрической керамики. Издательское предприятие редакции журнала "Радиотехника". М. (1999). 368 с
  • R. Dat, D.J. Lichtenwalner, O. Auciello, A.I. Kingon. Integr. Ferroelectrics 5, 275 (1994)
  • G.A.C.M. Spierings, G.J.M. Dormans, W.G.J. Moors, M.J.E. Ulenaers, P.K. Larsen. J. Appl. Phys. 78, 1926 (1995)
  • H. Maiwa, N. Ishinose, K. Okazaki. Jpn. J. Appl. Phys. 33 (Pt I), 9B, 5240 (1994)
  • A.L. Kholkin, K.G. Brooks, D.V. Taylor, S. Hiboux, N. Setter. Integr. Ferroelectrics 22, 525 (1998)
  • J. Lee, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 68, 4, 484 (1996)
  • S. Okamura, S. Miyata, Y. Mizutani, T. Nishida, T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Pt I), 9B, 5364 (1999)
  • V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Yu. Kaptelov, J. Graul. J. Phys.: Cond. Matter 13, 39, 8755 (2001)
  • И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, В.П. Афанасьев. ФТТ 44, 9, 1659 (2002)
  • I.P. Pronin, E.Yu. Kaptelov, E.A. Tarakanov, L.M. Sorokin, V.P. Afanasjev, A.V. Pankrashkin. Integr. Ferroelectrics 49, 285 (2002)
  • J. Frey, F. Schlenkrich, A. Schonecker. Integr. Ferroelectrics 35, 195 (2001)
  • R. Bruchhaus, D. Pitzer, M. Schreiter, W. Wersing. J. Electrocer. 3, 2, 151 (1999)
  • M. Kobune, H. Ishito, A. Mineshige, S. Fujii, R. Takayama, A. Tomozawa. Jpn. J. Appl. Phys. 37 (Pt I), 9B, 5154 (1998)
  • S. Hiboux, P. Muralt. Integr. Ferroelectrics 36, 83 (2001)
  • R. Jimenez, C. Alemany, J. Mendiola. Ferroelectrics 268, 131 (2002)
  • C.H. Choi, J. Lee, B.H. Park, T.W. Noh. Integr. Ferroelectrics 18, 39 (1997)
  • K.W. Kwok, B. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Chov. Ferroelectrics 271, 69 (2002)
  • G.E. Pike, W.L. Warren, D. Dimos, B.A. Tuttle, R. Ramesh, J. Lee, V.G. Keramidas, J.T. Evans. Appl. Phys. Lett. 66, 4, 484 (1995)
  • W.L. Warren, B.A. Tuttle, D. Dimos, G.E. Pike, H.N. Al-Shareef, R. Ramesh, J.T. Evans. Jpn. J. Appl. Phys. 35 (Pt I), 2B, 1521 (1996)
  • R. Poyato, M.L. Calzada, J. Ricote, L. Pardo, B. Willing. Integr. Ferroelectrics 35, 77 (2001)
  • E.G. Lee, J.S. Park, J.K. Lee, J.G. Lee. Thin Solid Films 310, 327 (1997)
  • E.G. Lee, J.K. Lee, J.-Y. Kim, J.G. Lee, H.M. Jang, S.J. Kim. J. Mater. Sci. Lett. 18, 2025 (1999)
  • R. Kohler, N. Neumann, N. Heb, R. Bruchhaus, W. Wersing, M. Simon. Ferroelectrics 201, 83 (1997)
  • R. Kohler, G. Suchaneck, P. Padmini, T. Sandner, G. Gerlach, G. Hofmann. Ferroelectrics 225, 57 (1999)
  • M. Grossmann, O. Lohse, T. Scheller, D. Bolten, U. Boettger, J.R. Contreras, H. Kohlstedt, R. Waser. Integr. Ferroelectrics 37, 205 (2001)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica B 311, 250 (2002)
  • K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano, T. Kawakubo. Jpn. J. Appl. Phys. 36 (Pt I), 9B, 5846 (1997)
  • T. Yasumoto, N. Yanase, K. Abe, T. Kawakubo. Jpn. J. Appl. Phys. 39 (Pt I), 9B, 5369 (2000)
  • B.G. Shirane, K. Suzuki, A. Takeda. J. Phys. Soc. Jap. 7, 1, 12 (1952)
  • Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. Пьезоэлектрическая керамика. Мир, М. (1974). 288 с
  • А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Наука, М. (1978). 615 с
  • K.A. Vorotilov, M.I. Yanovskaya, O.A. Dorokhova. Integr. Ferroelectrics 3, 33 (1993)
  • A.K. Tagantsev, I. Stolichnov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.