ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9: page 1641...

ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Влияние состава твердого раствора на высокотемпературную микротвердость гетероэпитаксиальных слоев SiGe, выращенных на подложках Ge и Si

М.В.Меженный^*, М.Г.Мильвидский, Т.Г.Югова^*

Институт химических проблем микроэлектроники,
109017 Москва, Россия
^* ФГУП \glqq Гиредмет\grqq,
109017 Москва, Россия
E-mail: icpm@mail.girmet.ru

(Поступила в Редакцию 4 февраля 2003 г.)

Исследовано влияние состава эпитаксиальных слоев (ЭС) твердого раствора (TP) Si

_xGe

_1-x, выращенных на Ge- и Si-подложках, на микротвердость и длину дислокационных розеток, образующихся вокруг отпечатков индентора (при гомологической температуре

0.5T

_melt для соответствующего сплава). Для ЭС ТР Si

_xGe

_1-x/Ge (

0=<q x<0.15

) и Si

_xGe

_1-x/Si (

0.85) зависимости микротвердости и длины дислокационных розеток от состава ТР носят немонотонный характер. Наиболее вероятной причиной обнаруженного немонотонного изменения пластичности ЭС является упрочнение ТР в определенном диапазоне составов, обусловленное их спинодальным распадом с образованием кластеров и дисперсных выделений.

PDF версия (566Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster