Представлены результаты исследований подвижности дислокаций в легированном $n$-кремнии ($N$_d=5·10²⁴ m$-3$) при одновременном электрическом ($j=3$·10⁵ A / m$-2$) и магнитном ( T) воздействии. Установлено, что введение дислокаций ($~109$ m$-2$) в бездислокационный легированный фосфором кремний приводит к появлению парамагнитной составляющей магнитной восприимчивости, увеличивающейся с ростом концентрации легирующей примеси. Подобные преобразования могут нести основную ответственность за появление в кремнии примесных магниточувствительных стопоров, откликающихся на внешние магнитные возмущения.

Наблюдение за поведением дислокаций, находящихся под воздействием электрических и магнитных полей, позволило зафиксировать параболическую зависимость их пробега от $B$. На основе проведенных исследований найдены численные значения эффективных зарядов и подвижностей дислокаций.

Предложена модель, объясняющая увеличение подвижности дислокаций снижением тормозящей способности магниточувствительных стопоров вследствие локального изменения магнитных характеристик материала и протекания спин-зависимых структурных реакций, стимулированных магнитным полем.