Издателям
Вышедшие номера
Электростимулированный транспорт дислокаций в постоянном магнитном поле
Скворцов А.А.1, Гончар Л.И.1, Орлов А.М.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: scvor@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Представлены результаты исследований подвижности дислокаций в легированном n-кремнии (Nd=5·1024 m-3) при одновременном электрическом (j=3·105 A / m-2) и магнитном (B=<1 T) воздействии. Установлено, что введение дислокаций (~109 m-2) в бездислокационный легированный фосфором кремний приводит к появлению парамагнитной составляющей магнитной восприимчивости, увеличивающейся с ростом концентрации легирующей примеси. Подобные преобразования могут нести основную ответственность за появление в кремнии примесных магниточувствительных стопоров, откликающихся на внешние магнитные возмущения. Наблюдение за поведением дислокаций, находящихся под воздействием электрических и магнитных полей, позволило зафиксировать параболическую зависимость их пробега от B. На основе проведенных исследований найдены численные значения эффективных зарядов и подвижностей дислокаций. Предложена модель, объясняющая увеличение подвижности дислокаций снижением тормозящей способности магниточувствительных стопоров вследствие локального изменения магнитных характеристик материала и протекания спин-зависимых структурных реакций, стимулированных магнитным полем.
  • Т. Судзуки, Х. Есинага, С. Такеути. Динамика дислокаций и ползучесть. Мир, М. (1989). 286 с
  • В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина. УФН 165, 8, 887 (1995)
  • Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 600 с
  • Н.К. Нечволод. Ползучесть кристаллических тел при низких температурах. Вища шк., Киев (1980). 626 с
  • Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. ЖЭТФ 115, 2, 605 (1999)
  • В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова. ЖЭТФ 111, 2, 615 (1997)
  • Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. ФТТ 40, 11, 2065 (1998)
  • Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. ФТТ 39, 4, 630 (1997)
  • Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. Письма в ЖЭТФ 58, 3, 189 (1993)
  • А.А. Урусовская, В.И. Альшиц, Н.Н. Беккауэр. ФТТ 42, 2, 267 (2000)
  • А.А. Скворцов, А.М. Орлов, А.А. Соловьев. ФТТ 43, 4, 616 (2001)
  • С.В. Вонсовский. Магнетизм. Наука, М. (1971). 1032 с
  • В.Г. Антонов, Л.М. Петров, А.П. Щелкин. Средства измерений магнитных параметров материалов. Энергоатомиздат, Л. (1986). 215 с
  • И.В. Александров. Теория магнитной релаксации. Наука, М. (1975). 400 с
  • В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
  • P.C. Tripathy, T.N. Sahu. Semicond. Sci. Technol. 10, 4, 447 (1995)
  • А.А. Скворцов, А.М. Орлов, В.А. Фролов, А.А. Соловьев. ФТТ 42, 11, 1998 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.