ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Локальное колебание в теллуриде цинка, обусловленное
заряженной примесью никеля

В.И.Соколов, Н.Б.Груздев, И.А.Фарина *

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
* Институт физики Национальной академии наук Украины,
Киев, Украина
E-mail: visokolov@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию 22 августа 2002 г.
В окончательной редакции 3 февраля 2003 г.)

В полупроводнике ZnTe : Ni методом полевой экситонно-колебательной спектроскопии впервые обнаружено локальное колебание решетки, формируемое примесью никеля, имеющей отрицательный заряд относительно решетки. Спектр электропоглощения ZnTe : Ni содержит эквидистантные по энергии колебательные повторения головной линии, частота которых равна 13±1 THz, что более чем в 2 раза превышает предельную частоту фононов в ZnTe. Обсуждаются возможные причины появления локального колебания в ZnTe : Ni на основе представлений об ионно-ковалентном характере химических связей ZnTe, а также большая ширина локального колебания, обусловленная его ангармоничностью.

 PDF версия (172Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster