Вышедшие номера
Фотолюминесценция объемных кристаллов GaN, легированных Eu
Криволапчук В.В.1, Мездрогина М.М.1, Насонов А.В.1, Родин С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 30 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

На основании исследований изменения спектров фотолюминесценции объемных кристаллов GaN, легированных Eu, показано, что в зависимости от суммарной концентрации дефектов в исходной полупроводниковой матрице легирующая примесь может находиться в кристалле в различном зарядовом состоянии. В кристаллах с наименьшей концентрацией дефектов с мелкими уровнями реализуется лишь одно зарядовое состояние иона --- Eu3+. Обнаружено, что при увеличении концентрации таких дефектов Eu в матрице GaN может существовать в двух зарядовых состояниях --- Eu2+ и Eu3+. Наблюдался эффект геттерирования дефектов исходной матрицы GaN редкоземельной примесью.
  1. A.J. Steckl, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1999)
  2. A.J. Steckl, M. Garter, B. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett. 74, 2101 (1999)
  3. S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull. Appl. Phys. Lett. 71, 2662 (1997)
  4. P.H. Citrtn, P.A. Northrup, R. Birkhahn, A.J. Steckl. Appl. Phys. Lett. 76, 2865 (2000)
  5. Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт. ФТП 35, 2, 184 (2001)
  6. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма в ЖТФ 28, 7, 19 (2002)
  7. Ю.В. Жиляев, А.С. Адрианов, М.М. Мездрогина, В.А. Некрасов, И.Н. Сафронов. Тез. II Российской конф. по физике полупроводников. Новосибирск (1999). С. 56
  8. R.A. Street. Adv. in Phys. 30, 593 (1981)
  9. S. Permogorov, A. Reznitsky. J. Lumin. 52, 201 (1992)
  10. E. Cohen, M. Sturge. Phys. Rev. B 25, 3828 (1982)
  11. A. Klochichin, A. Reznitsky, S. Permogorov, T. Breitkopf, M. Gruen, M. Hetterich, C. Klingshirn, V. Lyssenko, J.V. Hvam. Phys. Rev. B 59, 12 497 (1999)
  12. E. Iliopoulos, D. Doppalapudi, H.M. Ng, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 73, 377 (1998)
  13. R. Dingle, D.D. Seil, S.E. Stakowsky, M. Ilegems. Phys. Rev. B 4, 1211 (1971)
  14. V. Kiroilyuk, P.H. Hageman, M. Zielenski. Appl. Phys. Lett. 79, 4109 (1999)
  15. В.Ю. Некрасов, П.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП 33, 12, 1428 (1999)
  16. H.I. Lozykowski. Phys. Rev. B 48, 17 758 (1998)
  17. М.М. Мездрогина, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков, Ф.С. Насрединов, Н.П. Серегин, П.П. Серегин. ФТП 36, 12, 1252 (2002)
  18. С.V. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, Y. Sun, G.J. Lapeyre, R.L. Cone, R.W. Equal, R.M. Macfarlane. Phys. Rev. B 64, 085 107 (2001)
  19. А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, М.О. Воробьев, У. Кайзер, В. Рихтер, И.И. Ходес. ФТП 35, 6, 725 (2001)
  20. J. Heikenfeld, M. Garter, D.S. Lee, R. Birkhahn, A.J. Stekl. Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.