Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция объемных кристаллов GaN, легированных Eu
Криволапчук В.В.1, Мездрогина М.М.1, Насонов А.В.1, Родин С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 30 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

На основании исследований изменения спектров фотолюминесценции объемных кристаллов GaN, легированных Eu, показано, что в зависимости от суммарной концентрации дефектов в исходной полупроводниковой матрице легирующая примесь может находиться в кристалле в различном зарядовом состоянии. В кристаллах с наименьшей концентрацией дефектов с мелкими уровнями реализуется лишь одно зарядовое состояние иона --- Eu3+. Обнаружено, что при увеличении концентрации таких дефектов Eu в матрице GaN может существовать в двух зарядовых состояниях --- Eu2+ и Eu3+. Наблюдался эффект геттерирования дефектов исходной матрицы GaN редкоземельной примесью.
  • A.J. Steckl, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1999)
  • A.J. Steckl, M. Garter, B. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett. 74, 2101 (1999)
  • S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull. Appl. Phys. Lett. 71, 2662 (1997)
  • P.H. Citrtn, P.A. Northrup, R. Birkhahn, A.J. Steckl. Appl. Phys. Lett. 76, 2865 (2000)
  • Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт. ФТП 35, 2, 184 (2001)
  • В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма в ЖТФ 28, 7, 19 (2002)
  • Ю.В. Жиляев, А.С. Адрианов, М.М. Мездрогина, В.А. Некрасов, И.Н. Сафронов. Тез. II Российской конф. по физике полупроводников. Новосибирск (1999). С. 56
  • R.A. Street. Adv. in Phys. 30, 593 (1981)
  • S. Permogorov, A. Reznitsky. J. Lumin. 52, 201 (1992)
  • E. Cohen, M. Sturge. Phys. Rev. B 25, 3828 (1982)
  • A. Klochichin, A. Reznitsky, S. Permogorov, T. Breitkopf, M. Gruen, M. Hetterich, C. Klingshirn, V. Lyssenko, J.V. Hvam. Phys. Rev. B 59, 12 497 (1999)
  • E. Iliopoulos, D. Doppalapudi, H.M. Ng, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 73, 377 (1998)
  • R. Dingle, D.D. Seil, S.E. Stakowsky, M. Ilegems. Phys. Rev. B 4, 1211 (1971)
  • V. Kiroilyuk, P.H. Hageman, M. Zielenski. Appl. Phys. Lett. 79, 4109 (1999)
  • В.Ю. Некрасов, П.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП 33, 12, 1428 (1999)
  • H.I. Lozykowski. Phys. Rev. B 48, 17 758 (1998)
  • М.М. Мездрогина, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков, Ф.С. Насрединов, Н.П. Серегин, П.П. Серегин. ФТП 36, 12, 1252 (2002)
  • С.V. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, Y. Sun, G.J. Lapeyre, R.L. Cone, R.W. Equal, R.M. Macfarlane. Phys. Rev. B 64, 085 107 (2001)
  • А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, М.О. Воробьев, У. Кайзер, В. Рихтер, И.И. Ходес. ФТП 35, 6, 725 (2001)
  • J. Heikenfeld, M. Garter, D.S. Lee, R. Birkhahn, A.J. Stekl. Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.