Приготовлены образцы нанокомпозита \glqq опал+HgSe\grqq с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур $T=5-200$ K измерены эффективные теплопроводность ($$varkappa_eff) и удельное электросопротивление ($$rho_eff), а в интервале 80--300 K --- коэффициент термоэдс ($$alpha). Показано, что величина $$alpha HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния носителей тока. Из $$varkappa_eff и $$rho_eff выделены полная теплопроводность ($$varkappa⁰_tot), удельное электросопротивление ($$rho⁰) и определены электронная ($$varkappa⁰_e) и решеточная ($$varkappa⁰_ph) составляющие теплопроводности для HgSe в опале. Во всем исследованном интервале температур (5--200 K) величина $$varkappa⁰_ph оказалась значительно меньше, чем $$varkappa_ph для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При $T>20$ K такое поведение $$varkappa⁰_ph(T) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при K --- появлением граничного рассеяния фононов на узких местах \glqq рупорообразных\grqq каналов, соединяющих заполненные селенидом ртути октаэдрические и тетраэдрические пустоты первого порядка опала.

Работа выполнялась в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 00-02-16883 и 02-02-17657).