Издателям
Вышедшие номера
Теплопроводность HgSe, введенного в решетку пустот монокристалла синтетического опала
Богомолов В.Н.1, Картенко Н.Ф.1, Курдюков Д.А.1, Парфеньева Л.С.1, Попов В.В.1, Сорокин Л.М.1, Смирнов И.А.1, Мисиорек Х.2, Ежовский А.2, Хатчисон Дж.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
3Отделение материалов Оксфордского университета, OXI 3P H Оксфорд, Великобритания
Email: igor.smirnov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Приготовлены образцы нанокомпозита "опал+HgSe" с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур T=5-200 K измерены эффективные теплопроводность (varkappaeff) и удельное электросопротивление (rhoeff), а в интервале 80--300 K --- коэффициент термоэдс (alpha). Показано, что величина alpha HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния носителей тока. Из varkappaeff и rhoeff выделены полная теплопроводность (varkappa0tot), удельное электросопротивление (rho0) и определены электронная (varkappa0e) и решеточная (varkappa0ph) составляющие теплопроводности для HgSe в опале. Во всем исследованном интервале температур (5--200 K) величина varkappa0ph оказалась значительно меньше, чем varkappaph для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При T>20 K такое поведение varkappa0ph(T) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при T<20 K --- появлением граничного рассеяния фононов на узких местах "рупорообразных" каналов, соединяющих заполненные селенидом ртути октаэдрические и тетраэдрические пустоты первого порядка опала. Работа выполнялась в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 00-02-16883 и 02-02-17657).
  • В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, А.В. Прокофьев, И.А. Смирнов, С.М. Самойлович, А. Ежовский, Я. Муха, Х. Мисерек. ФТТ 37, 11, 3411 (1995)
  • В.Н. Богомолов, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, А.В. Прокофьев, С.М. Самойлович, И.А. Смирнов, А. Ежовский, Я. Муха, Х. Мисерек. ФТТ 39, 2, 392 (1997)
  • Л.И. Арутюнян, В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, В.В. Попов, А.В. Прокофьев, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова. ФТТ 39, 3, 586 (1997)
  • Л.И. Арутюнян, В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова, А. Ежовский, Я. Муха, Х. Мисерек. ФТТ 40, 2, 379 (1998)
  • В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, А.А. Сысоева, Н.В. Шаренкова, И.А. Смирнов, Х. Мисерек, Я. Муха, А. Ежовский. ФТТ 41, 2, 348 (1999)
  • В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисерек, А. Ежовский. ФТТ 44, 1, 170 (2002)
  • В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, Л.М. Сорокин, И.А. Смирнов, Х. Мисерек, А. Ежовский, Дж. Хатчисон. ФТТ 44, 6, 1017 (2002)
  • В.Н. Богомолов, Т.М. Павлова. ФТП 29, 5-- 6, 826 (1995)
  • В.Г. Балакирев, В.Н. Богомолов, В.В. Журавлев, Ю.А. Кумзеров, В.П. Петрановский, С.Г. Романов, Л.А. Самойлович. Кристаллография 38, 3, 111 (1993)
  • В.В. Ратников. ФТТ 39, 5, 956 (1997)
  • T. Dietl, W. Szymanska. J. Phys. Chem. Sol. 39, 1041 (1978)
  • A. Jezowski, J. Mucha, G. Pompe. J. Phys. D: Appl. Phys. 20, 1500 (1987)
  • С.А. Алиев, Л.Л. Коренблит, С.С. Шалыт. ФТТ 8, 3, 705 (1966)
  • С.А. Алиев, Л.Л. Коренблит, С.С. Шалыт. ФТТ 7, 6, 1673 (1965)
  • С.С. Шалыт, С.А. Алиев. ФТТ 6, 7, 1979 (1964)
  • И.А. Смирнов, С.А. Алиев. ФТТ 10, 9, 2643 (1968)
  • V.N. Bogomolov, L.S. Parfeneva, A.V. Prokofiev, I.A. Smirnov, S.M. Samoilovich, A. Jezowski, H. Misiorek, J. Mucha. Abstr. 14th Int. conf. on Thermoelectrics. Russian Academy of Sciences, St. Petersburg (1995). P. 83
  • V.N. Bogomolov, D.A. Kurdyukov, L.S. Parfeneva, A.V. Prokofiev, I.A. Smirnov, A. Jezowski, H. Misiorek, J. Mucha. Abstr. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology-96". Russian Academy of Sciences, St. Petersburg (1996). P. 298--299
  • V.N. Bogomolov, L.S. Parfeneva, A.V. Prokofiev, I.A. Smirnov, S.M. Samoilovich, H. Misiorek, J. Mucha, A. Jezowski. Abstr. 3nd Bilateral Symp. on "Physics of Novel Materials". Cologne, Germany (1997). P. 18--19
  • Г.Н. Дульнев. ИФЖ 9, 3, 399 (1965)
  • Г.Н. Дульнев, Ю.П. Заричняк. Теплопроводность смесей и композиционных материалов. Энергия, Л. (1974). 264 с
  • R.E. Meredith, C.W. Tobias. J. Appl. Phys. 31, 1270 (1960)
  • K.W. Garrett, H.M. Rosenberg. J. Phys. D: Appl. Phys. 7, 1247 (1974)
  • Е.Я. Литовский. Изв. АН СССР. Неорган. Материалы 16, 3, 559 (1980)
  • D.A. Nelson, J.G. Broerman, E.C. Poxia, C.R. Whitsett. Phys. Rev. Lett. 22, 17, 884 (1969)
  • C.R. Whitsett, D.A. Nelson, J.G. Broerman, E.C. Paxhia. Phys. Rev. B 7, 10, 4625 (1973)
  • С.А. Алиев, Д.Г. Араслы. ФТП 7, 10, 2000 (1973)
  • S.M. Wasim, B. Fernandez, R. Aldana. Phys. Stat. Sol. (a) 76, 743 (1983)
  • И.Г. Кулиев, А.Т. Лончаков, И.Ю. Арапова. ФТП 34, 4, 402 (2000)
  • П.В. Гультяев, А.В. Петров. ФТТ 1, 3, 368 (1959)
  • В.И. Богданов, Ю.Х. Векилов, А.Е. Кадышевич, А.Д. Левин. ФТТ 12, 10, 3001 (1970)
  • Н.Н. Сирота, Н.П. Гавалешко, В.В. Новикова, А.В. Новиков, С.Ю. Паранчич. ФТТ 30, 4, 1237 (1988)
  • A. Lehoczky, D.A. Nelson, C.R. Witsett. Phys Rev. 188, 3, 1069 (1969)
  • О.М. Красильников, Ю.Х. Векилов, В.М. Безбородова, А.В. Юшин. ФТП 11, 2122 (1970)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.