Вышедшие номера
Теплопроводность HgSe, введенного в решетку пустот монокристалла синтетического опала
Богомолов В.Н.1, Картенко Н.Ф.1, Курдюков Д.А.1, Парфеньева Л.С.1, Попов В.В.1, Сорокин Л.М.1, Смирнов И.А.1, Мисиорек Х.2, Ежовский А.2, Хатчисон Дж.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
3Отделение материалов Оксфордского университета, OXI 3P H Оксфорд, Великобритания
Email: igor.smirnov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Приготовлены образцы нанокомпозита "опал+HgSe" с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур T=5-200 K измерены эффективные теплопроводность (varkappaeff) и удельное электросопротивление (rhoeff), а в интервале 80--300 K --- коэффициент термоэдс (alpha). Показано, что величина alpha HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния носителей тока. Из varkappaeff и rhoeff выделены полная теплопроводность (varkappa0tot), удельное электросопротивление (rho0) и определены электронная (varkappa0e) и решеточная (varkappa0ph) составляющие теплопроводности для HgSe в опале. Во всем исследованном интервале температур (5--200 K) величина varkappa0ph оказалась значительно меньше, чем varkappaph для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При T>20 K такое поведение varkappa0ph(T) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при T<20 K --- появлением граничного рассеяния фононов на узких местах "рупорообразных" каналов, соединяющих заполненные селенидом ртути октаэдрические и тетраэдрические пустоты первого порядка опала. Работа выполнялась в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 00-02-16883 и 02-02-17657).
  1. В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, А.В. Прокофьев, И.А. Смирнов, С.М. Самойлович, А. Ежовский, Я. Муха, Х. Мисерек. ФТТ 37, 11, 3411 (1995)
  2. В.Н. Богомолов, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, А.В. Прокофьев, С.М. Самойлович, И.А. Смирнов, А. Ежовский, Я. Муха, Х. Мисерек. ФТТ 39, 2, 392 (1997)
  3. Л.И. Арутюнян, В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, В.В. Попов, А.В. Прокофьев, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова. ФТТ 39, 3, 586 (1997)
  4. Л.И. Арутюнян, В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова, А. Ежовский, Я. Муха, Х. Мисерек. ФТТ 40, 2, 379 (1998)
  5. В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, А.А. Сысоева, Н.В. Шаренкова, И.А. Смирнов, Х. Мисерек, Я. Муха, А. Ежовский. ФТТ 41, 2, 348 (1999)
  6. В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисерек, А. Ежовский. ФТТ 44, 1, 170 (2002)
  7. В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, Л.М. Сорокин, И.А. Смирнов, Х. Мисерек, А. Ежовский, Дж. Хатчисон. ФТТ 44, 6, 1017 (2002)
  8. В.Н. Богомолов, Т.М. Павлова. ФТП 29, 5-- 6, 826 (1995)
  9. В.Г. Балакирев, В.Н. Богомолов, В.В. Журавлев, Ю.А. Кумзеров, В.П. Петрановский, С.Г. Романов, Л.А. Самойлович. Кристаллография 38, 3, 111 (1993)
  10. В.В. Ратников. ФТТ 39, 5, 956 (1997)
  11. T. Dietl, W. Szymanska. J. Phys. Chem. Sol. 39, 1041 (1978)
  12. A. Jezowski, J. Mucha, G. Pompe. J. Phys. D: Appl. Phys. 20, 1500 (1987)
  13. С.А. Алиев, Л.Л. Коренблит, С.С. Шалыт. ФТТ 8, 3, 705 (1966)
  14. С.А. Алиев, Л.Л. Коренблит, С.С. Шалыт. ФТТ 7, 6, 1673 (1965)
  15. С.С. Шалыт, С.А. Алиев. ФТТ 6, 7, 1979 (1964)
  16. И.А. Смирнов, С.А. Алиев. ФТТ 10, 9, 2643 (1968)
  17. V.N. Bogomolov, L.S. Parfeneva, A.V. Prokofiev, I.A. Smirnov, S.M. Samoilovich, A. Jezowski, H. Misiorek, J. Mucha. Abstr. 14th Int. conf. on Thermoelectrics. Russian Academy of Sciences, St. Petersburg (1995). P. 83
  18. V.N. Bogomolov, D.A. Kurdyukov, L.S. Parfeneva, A.V. Prokofiev, I.A. Smirnov, A. Jezowski, H. Misiorek, J. Mucha. Abstr. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology-96". Russian Academy of Sciences, St. Petersburg (1996). P. 298--299
  19. V.N. Bogomolov, L.S. Parfeneva, A.V. Prokofiev, I.A. Smirnov, S.M. Samoilovich, H. Misiorek, J. Mucha, A. Jezowski. Abstr. 3nd Bilateral Symp. on "Physics of Novel Materials". Cologne, Germany (1997). P. 18--19
  20. Г.Н. Дульнев. ИФЖ 9, 3, 399 (1965)
  21. Г.Н. Дульнев, Ю.П. Заричняк. Теплопроводность смесей и композиционных материалов. Энергия, Л. (1974). 264 с
  22. R.E. Meredith, C.W. Tobias. J. Appl. Phys. 31, 1270 (1960)
  23. K.W. Garrett, H.M. Rosenberg. J. Phys. D: Appl. Phys. 7, 1247 (1974)
  24. Е.Я. Литовский. Изв. АН СССР. Неорган. Материалы 16, 3, 559 (1980)
  25. D.A. Nelson, J.G. Broerman, E.C. Poxia, C.R. Whitsett. Phys. Rev. Lett. 22, 17, 884 (1969)
  26. C.R. Whitsett, D.A. Nelson, J.G. Broerman, E.C. Paxhia. Phys. Rev. B 7, 10, 4625 (1973)
  27. С.А. Алиев, Д.Г. Араслы. ФТП 7, 10, 2000 (1973)
  28. S.M. Wasim, B. Fernandez, R. Aldana. Phys. Stat. Sol. (a) 76, 743 (1983)
  29. И.Г. Кулиев, А.Т. Лончаков, И.Ю. Арапова. ФТП 34, 4, 402 (2000)
  30. П.В. Гультяев, А.В. Петров. ФТТ 1, 3, 368 (1959)
  31. В.И. Богданов, Ю.Х. Векилов, А.Е. Кадышевич, А.Д. Левин. ФТТ 12, 10, 3001 (1970)
  32. Н.Н. Сирота, Н.П. Гавалешко, В.В. Новикова, А.В. Новиков, С.Ю. Паранчич. ФТТ 30, 4, 1237 (1988)
  33. A. Lehoczky, D.A. Nelson, C.R. Witsett. Phys Rev. 188, 3, 1069 (1969)
  34. О.М. Красильников, Ю.Х. Векилов, В.М. Безбородова, А.В. Юшин. ФТП 11, 2122 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.