ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Изменение электронной плотности в узлах меди при сверхпроводящем переходе в маталлоксидах меди

Н.П.Серегин

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия

(Поступила в Редакцию 15 марта 2002 г.)

Для соединений YBa2Cu3O6.6, YBa2Cu3O6.9, YBa2Cu4O8, Bi2Sr2CaCu2O8, HgBa2CuO4 и HgBa2CaCu2O6 при температурах выше температуры перехода в сверхпроводящее состояние Tc температурная зависимость центра тяжести S мессбауэровского спектра примесных атомов 67Zn2+ в узлах меди и иттрия определяется допплеровским сдвигом второго порядка. В области Tc на величину S оказывает влияние зонный механизм, связанный с процессом образования куперовских пар и их бозе-конденсацией. Обнаружена зависимость между изменением электронной плотности в металлическом узле кристалла и температурой перехода его в сверхпроводящее состояние. Для соединений, содержащих две структурно-неэквивалентные позиции для атомов меди, показано, что изменение электронной плотности, создаваемой бозе-конденсатом куперовских пар, различно для этих узлов. Экспериментальная зависимость доли сверхпроводящих электронов от температуры для всех исследованных узлов согласуется с аналогичной зависимостью, следуемой из теории БКШ.

Работа выполнена при поддержке Министерства образования РФ (грант E 00-3.4-42).

 PDF версия (109Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster