Вышедшие номера
Изменение электронной плотности в узлах меди при сверхпроводящем переходе в маталлоксидах меди
Серегин Н.П.1
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Для соединений YBa2Cu3O6.6, YBa2Cu3O6.9, YBa2Cu4O8, Bi2Sr2CaCu2O8, HgBa2CuO4 и HgBa2CaCu2O6 при температурах выше температуры перехода в сверхпроводящее состояние Tc температурная зависимость центра тяжести S мессбауэровского спектра примесных атомов 67Zn2+ в узлах меди и иттрия определяется допплеровским сдвигом второго порядка. В области T<Tc на величину S оказывает влияние зонный механизм, связанный с процессом образования куперовских пар и их бозе-конденсацией. Обнаружена зависимость между изменением электронной плотности в металлическом узле кристалла и температурой перехода его в сверхпроводящее состояние. Для соединений, содержащих две структурно-неэквивалентные позиции для атомов меди, показано, что изменение электронной плотности, создаваемой бозе-конденсатом куперовских пар, различно для этих узлов. Экспериментальная зависимость доли сверхпроводящих электронов от температуры для всех исследованных узлов согласуется с аналогичной зависимостью, следуемой из теории БКШ. Работа выполнена при поддержке Министерства образования РФ (грант E 00-3.4-42).