Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
Сошников И.П.1,2,3, Петров В.А.1, Цырлин Г.Э.1,2,3, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Буравлев А.Д.1,2, Задиранов Ю.М.2, Ильинская Н.Д.2, Трошков С.И.2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Показана возможность эпитаксиального формирования массивов нитевидных нанокристаллов на наклонных гранях линейных мезаструктур. Исследованы структурные свойства нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на гранях (33 1), (11 7) и (113) образцов с кристаллографической ориентацией подложки (100). Установлена связь между структурными параметрами нитевидных нанокристаллов и геометрической ориентацией ростовой поверхности относительно направлений <111> и плоскости подложки. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, различными научными программами президиума РАН, грантами РФФИ и программами FP7 SOBONA и FUNPROB.
- K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys. 77, 447 (1995)
- Z.H. Wu, X. Mei, D. Kim, M. Blumin, H.E. Ruda, J.Q. Liu, K.L. Kavanagh. Appl. Phys. Lett., 83, 3368 (2003)
- И.П. Сошников, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. ПЖТФ 30, 18, 28 (2004)
- И.П. Сошников. ПЖТФ 31, 15, 29 (2005)
- И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ 48 4, 737 (2006)
- M. Piccin, G. Bais, V. Grillo, F. Jabeen, S. De Franceschi, E. Carlino, M. Lazzarino, F. Romanatoa, L. Businaroa, S. Rubini, F. Martelli, A. Franciosi. Physica E 37, 134 (2007)
- S.A. Fortuna, X.L. Li. Semiconductor Sci. Technol., 25, 2, 024 005 (2010)
- E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975)
- Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. Наука, М. (1977). 304 с
- А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография. Т. 3. Наука, М. (1980). 408 с
- V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth 289, 31 (2006)
- B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 79, 3335 (2001)
- L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
- А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП 38, 10, 1256 (2004)
- V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B 71, 20, 205 325 (2005)
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП 39, 587 (2005)
- И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ 47, 12, 2121 (2005)
- J. Noborisaka, J. Motohisa, T. Fukui. Appl. Phys. Lett. 86, 213 102 (2005)
- И.П. Сошников, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, В.Т. Барченко, А.В. Веретеха, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ПЖТФ 32, 12 (2006)
- Q. Wan, Q.H. Li, Y.J. Chen, T.H. Wang, X.L. He, J.P. Li, C.L. Lin. Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004)
- F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang. Acad. Sci. USA 101, 39, 14017 (2004)
- A.B. Greytak, C.J. Barrelet, Yat Li, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett. 87, 151 103 (2005)
- Z.L. Wang. Appl. Phys. A 88, 7 (2007)
- D. Wallin, A. Fuhrer, L.E. Froberg, L. Samuelson, H.Q. Xu, S. Hofling, A. Forshel. Appl. Phys. Lett., 90, 17, 172 112 (2007)
- Z.L. Wang, X. Wang, Y. Qin, R. Yang. US Patent Application 20 090 066 195. Published 12.03.2009
- Z.L. Wang. J. Phys. Chem. Lett. 1, 1388 (2010)
- Y. Yang, J. Qi, W. Guo, Y. Gu, Y. Huang, Y. Zhang. Phys. Chem. Chem. Phys. 12, 12415 (2010)
- P.A. Smith, C.D. Nordquist, T.N. Jackson, T.S. Mayer, B.R. Martin, J. Mbindyo, T.E. Mallouk. Appl. Phys. Lett. 77, 1399 (2000)
- X. Duan, Yu Huang, Yi Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature 409, 66 (2001)
- К. Сангвал. Травление кристаллов: теория, практика, применение. Мир, М. (1990). 492 с
- J. Weertman, J.R. Weertman. Elementary Dislocation Theory. Oxford University Press, USA (1992). 232 p
- J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations. Wiley, N. Y. (1982). 857 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
