Изучен распад тонких пленок серебра на кластеры на поверхности SiO₂ при термическом нагреве в вакууме. Построены экспериментальные гистограммы распределения кластеров, сформированных из пленок различной толщины, по их диаметрам. Установлено, что при распаде пленок толщиной до 10 nm формируются монокластеры, имеющие один предпочтительный диаметр, находящийся в диапазоне от 15 до 20 nm. При более длительном отжиге массив практически не изменяется во времени, предпочтительный диаметр сохраняется. Из пленок толщиной от 10 до 130 nm формируется массив кластеров с двумя предпочтительными диаметрами, содержащий монокластеры (40-80 nm) и глобулярные кластеры (400 nm). С увеличением времени отжига замечено, что массив укрупняется за счет процесса коалесценции и постепенно испаряется, при этом предпочтительные диаметры кластеров остаются в прежнем диапазоне. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 11-03-01146-a).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.