Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства пористых оксидов алюминия и кремния с включениями триглицинсульфата и его модифицированных аналогов
Голицына О.М.1, Дрождин С.Н.1, Нечаев В.Н.2, Висковатых А.В.2, Кашкаров В.М.1, Гриднев А.Е.1, Чернышев В.В.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Email: golitsynaom@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Исследованы температурные зависимости емкости и проводимости композиционных материалов, полученных путем внедрения сегнетоэлектрика ТГС и его аналогов --- ТГС с примесями L,alpha-аланина и хрома в матрицы пористых Al2O3 и SiO2. Установлено, что процессы проводимости изученных структур связаны с переносом заряда преимущественно через внедренный в пористую матрицу сегнетоэлектрик. Предложен механизм смещения температуры фазового перехода сегнетоэлектрического включения в условиях "ограниченной геометрии", обусловленный различием коэффициентов теплового расширения пористой матрицы и внедренного сегнетоэлектрика.
  • H.S. Min, J.K. Lee. Ferroelectrics 336, 231 (2006)
  • K. Nielsch, J. Choi, K. Schwirn, R.B. Wehrspohn, U. Golsele. Nano Lett. 2, 7, 677 (2002)
  • J.F. Scott, M. Dawber, A.Q. Jiang, F.D. Morrison. Ferrotlectrics 286, 223 (2003)
  • O.M. Zhigalina, E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, K.A. Vorotilov, V.A. Vasiljev, A.S. Sigov, O.I. Lebedev, Yu.V. Grigoriev, M.P. De Santo, R. Barberi, Th. Rasing. Ferroelectrics 336, 247 (2006)
  • D. Jadlovker, S. Berger. Ferroelectrics 336, 219 (2006)
  • Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков. ФТТ 46, 335 (2004).
  • О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, А.Е. Гриднев, В.В. Чернышев, И.Е. Занин. Изв. РАН. Сер. физ. 74, 9, 1347 (2010)
  • М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Пер. с англ. Мир, М. (1981). 736 с
  • О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, В.В. Чернышев, Н.Г. Бабичева. ФТТ 51, 7, 1430 (2009)
  • С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Е.В. Стукова, А.Ю. Милинский, Cheng Tien. ФТТ 52, 7, 1347 (2010)
  • И.С. Желудев. Основы сегнетоэлектричества. Атомиздат, М. (1973). 472 с
  • О.А. Караева, Л.Н. Коротков, А.А. Набережнов, E. Rysiakiewicz-Pasek. ФТТ 51, 7, 1304 (2009)
  • А.В. Шильников, Л.А. Шувалов, В.А. Федорихин, А.П. Поздняков, А.В. Сопит. ФТТ 41, 6, 1073 (1999)
  • А.Л. Пирозерский, Е.В. Чарная, Cheng Tien. ФТТ 49, 2, 327 (2007)
  • М.С. Цедрик. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Наука и техника, Минск (1986). 216 с
  • W.L. Zhong, Y.G. Wang, P.L. Zhang, B.D. Qu. Phys. Rev. B 50, 698 (1994)
  • Zh. Zhao, V. Buscaglia, M. Viviani, M.T. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Yohnsson, P. Nanni. Phys. Rev. B 70, 024 107 (2004)
  • E. Rysiakiewicz-Pasek, R. Poprawski, J. Polanska, A. Sieradzki, E.B. Radojewska. J. Non-cryst. Solids 351, 2703 (2005)
  • С.В. Барышников, Е.В. Стукова, Е.В. Чарная, Cheng Tien, М.К. Lee, W. Bohlmann, D. Michel. ФТТ 48, 3, 551 (2006)
  • В.Н. Нечаев, А.В. Висковатых. Изв. АН. Сер. физ. 74, 9, 1273 (2010)
  • Л.М. Блинов, В.М. Фридкин, С.П. Палто, А.В. Буне, П.А. Даубен, С. Дюшарм. УФН 170, 3, 247 (2000)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости. Физматлит, М. (2003). 264 с
  • В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин. ФТТ 31, 8, 77 (1989)
  • Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965). 556 с
  • Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.