Вышедшие номера
Диэлектрические свойства пористых оксидов алюминия и кремния с включениями триглицинсульфата и его модифицированных аналогов
Голицына О.М.1, Дрождин С.Н.1, Нечаев В.Н.2, Висковатых А.В.2, Кашкаров В.М.1, Гриднев А.Е.1, Чернышев В.В.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Email: golitsynaom@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Исследованы температурные зависимости емкости и проводимости композиционных материалов, полученных путем внедрения сегнетоэлектрика ТГС и его аналогов --- ТГС с примесями L,alpha-аланина и хрома в матрицы пористых Al2O3 и SiO2. Установлено, что процессы проводимости изученных структур связаны с переносом заряда преимущественно через внедренный в пористую матрицу сегнетоэлектрик. Предложен механизм смещения температуры фазового перехода сегнетоэлектрического включения в условиях "ограниченной геометрии", обусловленный различием коэффициентов теплового расширения пористой матрицы и внедренного сегнетоэлектрика.
  1. H.S. Min, J.K. Lee. Ferroelectrics 336, 231 (2006)
  2. K. Nielsch, J. Choi, K. Schwirn, R.B. Wehrspohn, U. Golsele. Nano Lett. 2, 7, 677 (2002)
  3. J.F. Scott, M. Dawber, A.Q. Jiang, F.D. Morrison. Ferrotlectrics 286, 223 (2003)
  4. O.M. Zhigalina, E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, K.A. Vorotilov, V.A. Vasiljev, A.S. Sigov, O.I. Lebedev, Yu.V. Grigoriev, M.P. De Santo, R. Barberi, Th. Rasing. Ferroelectrics 336, 247 (2006)
  5. D. Jadlovker, S. Berger. Ferroelectrics 336, 219 (2006)
  6. Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых, А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков. ФТТ 46, 335 (2004).
  7. О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, А.Е. Гриднев, В.В. Чернышев, И.Е. Занин. Изв. РАН. Сер. физ. 74, 9, 1347 (2010)
  8. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Пер. с англ. Мир, М. (1981). 736 с
  9. О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, В.В. Чернышев, Н.Г. Бабичева. ФТТ 51, 7, 1430 (2009)
  10. С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Е.В. Стукова, А.Ю. Милинский, Cheng Tien. ФТТ 52, 7, 1347 (2010)
  11. И.С. Желудев. Основы сегнетоэлектричества. Атомиздат, М. (1973). 472 с
  12. О.А. Караева, Л.Н. Коротков, А.А. Набережнов, E. Rysiakiewicz-Pasek. ФТТ 51, 7, 1304 (2009)
  13. А.В. Шильников, Л.А. Шувалов, В.А. Федорихин, А.П. Поздняков, А.В. Сопит. ФТТ 41, 6, 1073 (1999)
  14. А.Л. Пирозерский, Е.В. Чарная, Cheng Tien. ФТТ 49, 2, 327 (2007)
  15. М.С. Цедрик. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Наука и техника, Минск (1986). 216 с
  16. W.L. Zhong, Y.G. Wang, P.L. Zhang, B.D. Qu. Phys. Rev. B 50, 698 (1994)
  17. Zh. Zhao, V. Buscaglia, M. Viviani, M.T. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Yohnsson, P. Nanni. Phys. Rev. B 70, 024 107 (2004)
  18. E. Rysiakiewicz-Pasek, R. Poprawski, J. Polanska, A. Sieradzki, E.B. Radojewska. J. Non-cryst. Solids 351, 2703 (2005)
  19. С.В. Барышников, Е.В. Стукова, Е.В. Чарная, Cheng Tien, М.К. Lee, W. Bohlmann, D. Michel. ФТТ 48, 3, 551 (2006)
  20. В.Н. Нечаев, А.В. Висковатых. Изв. АН. Сер. физ. 74, 9, 1273 (2010)
  21. Л.М. Блинов, В.М. Фридкин, С.П. Палто, А.В. Буне, П.А. Даубен, С. Дюшарм. УФН 170, 3, 247 (2000)
  22. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости. Физматлит, М. (2003). 264 с
  23. В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин. ФТТ 31, 8, 77 (1989)
  24. Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965). 556 с
  25. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.