Вышедшие номера
Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием
Агекян В.Ф.1, Воробьев Л.Е.2, Мелентьев Г.А.2, Nykanen Н.3, Серов А.Ю.1, Suihkonen S.3, Философов Н.Г.1, Шалыгин В.А.2
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Aalto University, School of Electrical Engineering, Espoo, Finland
Email: vfag@rambler.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Исследованы оптические спектры и электропроводность легированных кремнием эпитаксиальных слоев нитрида галлия с концентрациями нескомпенсированных доноров ND-NA до 4.8· 1019 cm-3 при T~ 5 K. Вольт-амперные характеристики показывают, что при уровне легирования ~3· 1018 cm-3 происходит образование примесной зоны, а увеличение концентрации доноров еще на порядок приводит к слиянию примесной зоны с зоной проводимости. Трансформация экситонных спектров отражения свидетельствует о том, что образование примесной зоны приводит к эффективному экранированию экситонов при низких температурах. В образце с ND-NA=3.4· 1018 cm-3 спектры люминесценции еще формируются излучением свободных и связанных экситонов. В образце с ND-NA=4.8· 1019 cm-3 кулоновское взаимодействие уже полностью подавлено, и спектр люминесценции состоит из полос, соответствующих излучательным переходам примесная зона-валентная зона и зона проводимости-валентная зона.
  1. D.C. Reynolds, D.C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoc, D.N. Talvar. J. Appl. Phys. 80, 594 (1996)
  2. M. Reshchikov, H. Morkoc. J. Appl. Phys. 97, 061 031 (2005)
  3. M. Zhang, T.F. Zhou, Y.M. Zhang, B. Li, S.N. Zheng, J. Huang, Y.M. Sun, G.Q. Ren, J.F. Wang, F. Hu, H. Yang. Appl. Phys. Lett. 100, 041 904 (2012)
  4. Y. Takagi, T. Suwa, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara. Appl. Phys. Lett. 99, 171 905 (2011)
  5. V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, A.V. Andrianov, A.O. Zakharyin, S. Suihkonen, P.T. Torma, M. Ali, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett. 106, 123 523 (2009)
  6. S. Farvid, M. Hegde, I.D. Hosein, P.V. Radovanovich. Appl. Phys. Lett. 99, 222 504 (2011)
  7. M.A. Reshchikov, A.G. Willyard, A. Behrends, A. Bakin, A. Waag. Appl. Phys. Lett. 99, 171 110 (2011)
  8. H. Nykanen, S. Suihkonen, M. Sopanen, F. Tuomisto. Appl. Phys. Lett. 100, 122 105 (2012)
  9. S. Fritze, A. Dadgar, H. Witte, M. Bugler, A. Rohrbeck, J. Blasing, A. Hoffmann, A. Krost. Appl. Phys. Lett. 100, 122 104 (2012)
  10. K. Kornitzer, T.A. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski. Phys. Rev. B 60, 1471 (1999)
  11. P. Stepniewski, K.P. Korona, A. Wysmolek, J.M. Baranowski, K. Pakula, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, S. Porowski. Phys. Rev. B 56, 15 151 (1997)
  12. T.V. Shubina, A.A. Toropov, G. Pozina, J.P. Bergman, M.M. Glazov, N.A. Gippius, P. Disseix, J. Leymarie, B. Gil, B. Monemar. Appl. Phys. Lett. 99, 101 108 (2011)
  13. T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi. Appl. Phys. Lett. 90, 011 904 (2007)
  14. М.Г. Ткачман, Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Т. Паскова, Б. Монемар. ФТП 37, 552 (2003)
  15. V.G. Dubrovski, V. Consonni, L. Geelhaar, A. Trampert, H. Riechert. Appl. Phys. Lett. 100, 153 101 (2012)
  16. A.S. Barker, M. Ilegems. Phys. Rev. B 7, 743 (1973)
  17. V. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A. Zubrilov. In Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001, p. 1
  18. N.F. Mott, W.D. Twose. Adv. Phys. 10, 107 (1961). [Опубликован перевод: Мотт Н.Ф., Туз Н.Д. УФН 79, 691 (1963).]
  19. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН 133, 427 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.