Издателям
Вышедшие номера
Теплопроводность моноизотопного монокристаллического 29Si в интервале температур 2.4-410 K
Инюшкин А.В.1, Талденков А.Н.1, Гусев А.В.2, Гибин А.М.2, Гавва В.А.2, Козырев Е.А.2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: Inyushkin_AV@rrcki.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

В интервале температур 2.4-410 K проведены измерения температурной зависимости теплопроводности kappa(T) монокристалла кремния, высокообогащенного по изотопу 29Si (99.919%). При низких температурах (T<6 K) в режиме граничного рассеяния фононов теплопроводность кристалла 29Si выше, чем кристалла 28Si (99.983%). В области высоких температур, где теплопроводность определяется ангармоническими процессами рассеяния фононов, величина теплопроводности 29Si ниже, чем в случае 28Si. Выводы теории фононной теплопроводности о массовой зависимости величины kappa(T) согласуются с экспериментальными результатами.
  • А.П. Жернов, А.В. Инюшкин. УФН 171, 827 (2001)
  • А.П. Жернов, А.В. Инюшкин. УФН 172, 573 (2002)
  • M. Cardona, M.L.W. Thewalt. Rev. Mod. Phys. 77, 1173 (2005)
  • А.Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы. Изд-во АН СССР, М.--Л. (1960). C. 91
  • Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). С. 224
  • P. Becker, D. Schiel, H.-J. Pohl, A.K. Kaliteevski, O.N. Godisov, M.F. Churbanov, G.G. Devyatykh, A.V. Gusev, A.D. Bulanov, S.A. Adamchik, V.A. Gavva, I.D. Kovalev, N.V. Abrosimov, B. Hallmann-Seiffert, H. Riemann, S. Valkiers, P. Taylor, P. DeBievre, E.M. Dianov. Meas. Sci. Technol. 17, 1854 (2006)
  • Г.Г. Девятых, А.Д. Буланов, А.В. Гусев, И.Д. Ковалев, В.А. Крылов, А.М. Потапов, П.Г. Сенников, С.А. Адамчик, В.А. Гавва, А.П. Котков, М.Ф. Чурбанов, Е.М. Дианов, А.К. Калитеевский, О.Н. Годисов, Х.-Й. Поль, П. Беккер, Х. Риман, Н.В. Абросимов. ДАН 421, 61 (2008)
  • P. Becker, H.-J. Pohl, H. Riemann, N. Abrosimov. Phys. Status Solidi A 207, 49 (2010)
  • А.В. Гусев, В.А. Гавва, Е.А. Козырев, А.М. Потапов, В.Г. Плотниченко. Неорган. материалы 47, 773 (2011).
  • H. Lundt, M. Kerstan, A. Huber, P.O. Hahn. In: Subsurface damage of abraded silicon wafers. Proc. of 7th Int. Symp. on silicon materials science and technology / Eds. H.R. Huff, W. Bergholz, K. Sumino. The Electrochemical Society, Pennington, N. J. (1994). V. 94 -10, P. 218
  • A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, A.M. Gibin, A.V. Gusev, H.-J. Pohl. Phys. Status Solidi C 1, 2995 (2004)
  • А.В. Гусев, А.М. Гибин, О.Н. Морозкин, В.А. Гавва, А.В. Митин. Неорган. материалы 38, 1305 (2002)
  • G. Leibfried, E. Schlomann. Warmleitung in elektrisch isolierenden Kristallen. Nachrichten der Akademie der Wissenschaften in Gottingen. Math. Phys. Klasse IIa, 4, 7193 (1954); Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). С. 72
  • A.M. Gibin, G.G. Devyatykh, A.V. Gusev, R.K. Kremer, M. Cardona, H.-J. Pohl. Solid State Commun. 133, 569 (2005)
  • R. Berman, F.E. Simon, J.M. Ziman. Proc. R. Soc. London A 220, 171 (1953); R. Berman, E.L. Foster, J.M. Ziman. Proc. R. Soc. London A 231, 130 (1955)
  • И.И.Кулеев, И.Г. Кулеев, С.М. Бахарев, А.В. Инюшкин. ФТТ 55, 1, 24 (2013)
  • A.K. McCurdy, H.J. Maris, C. Elbaum. Phys. Rev. B 2, 4077 (1970).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.