Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние легирующих атомов Cr на диэлектрические свойства кристаллов ZnSe, выращенных из расплава

Чугай О.Н.¹, Герасименко А.С.², Комарь В.К.², Наливайко Д.П.², Олейник С.В.¹, Подшивалова О.В.¹, Сулима С.В.², Новохатская Т.Н.¹

¹Харьковский национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского, Харьков, Украина
²НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, Харьков, Украина

Email: komar@isc.kharkov.ua

Поступила в редакцию: 5 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

PDF версия

В низкочастотной области измерены частотные и температурные зависимости действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости легированных Cr (n_Cr~=10¹⁸ cm^-3) кристаллов ZnSe, выращенных из расплава. Установлено, что такое легирование понижает неоднородность диэлектрических свойств и уровень потерь энергии переменного электрического поля в кристаллическом слитке. Влияние легирующих атомов на диэлектрические свойства объяснено образованием ассоциатов дефектов с участием этих атомов и собственных дефектов кристалла.

I.T. Sorokina. Opt. Mater. 26, 395 (2004)
Ю.Г. Садофьев, М.В. Коршков. ФТП 36, 525 (2002)
Ю.Ф. Ваксман, В.В. Павлов, Ю.А. Ницук, Ю.Н. Пуртов, А.С. Насибов, П.В. Шапкин. ФТП 39, 401 (2005)
V.V. Fedorov, A. Gallian, I. Moskalev, S.B. Mirov. J. Lumin. 125, 184 (2007)
Е.М. Гаврищук. Неорган. материалы 39, 1031 (2003)
М.П. Кулаков, Г.А. Меерович, В.Н. Уласюк, А.В. Фадеев, И.Ш. Хасанов. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 19, 1807 (1983)
Л.В. Атрощенко, С.Ф. Бурчас, Л.П. Гальчинецкий, Б.В. Гринев, В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе. Наук. думка, Киев (1998). 310 с
О.Н. Чугай, А.С. Герасименко, В.К. Комарь, Д.С. Морозов, С.В. Олейник, В.М. Пузиков, И.М. Ризак, С.В. Сулима. ФТТ 52, 2307 (2010)
V.K. Komar, D.P. Nalivaiko, S.V. Sulima, Yu.A. Zagoruiko, O.A. Fedorenko, N.O. Kovalenko, O.N. Chugai, I.S. Terzin, A.S. Gerasimenko, N.G. Dubina. Functional Mater. 16, 192 (2009)
А.А. Андреев, Н.Д. Борисенко, А.В. Коваленко, А.Я. Якунин. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 17, 1162 (1981)
I. Strzalkowski, S. Joshi, V.R. Crowell. Appl. Phys. Lett. 28, 350 (1976)
А.П. Оконечников, Н.Н. Мельник, ФТТ 26, 1659 (1992)
Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. ФТП 35, 1281 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель