Издателям
Вышедшие номера
Сегнетоэлектрические запоминающие устройства
Воротилов К.А.1, Сигов А.С.1
1Московский государственный технический университет радиотехники электроники и автоматики, Москва, Россия
Email: vorotilov@mirea.ru
Выставление онлайн: 20 апреля 2012 г.

Рассматривается современное состояние разработок в области сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Проведен анализ стремительно растущего рынка энергонезависимой памяти, рассмотрено состояние и перспективы скейлинга параметров различных типов энергонезависимых запоминающих устройств. Обсуждаются основные конструктивные и технологические решения в области создания сегнетоэлектрических запоминающих устройств, а также "дорожные карты" развития данной технологии.
  • М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Пер. с англ. под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. Мир, М. (1981). 736 c
  • Nobelprize.org. 7.212 http://nobelprize.org/nobel\_prizes/physics/laureates/1956/
  • J.S. Kilby. IEEE Trans. Electron Devices ED-23, 648 (1976); R.N. Noyce. Semiconductor device-and-lead structure. U.S. Patent 2,981,877 (1961)
  • F.M. Wanlass, C.T. Sah. Tech. Digest IEEE Int. Solid-State Circuit Conf. 6, 32 (1963)
  • R.M. Dennard. Field effect transistor memory, U.S. Patent 3,387,286 (1968)
  • G.S. May, C. J. Spanos. Fundamentals of semiconductor manufacturing and process control. John Wiley \& Sons, Inc., N. Y. (2006). 463 p
  • The international technology roadmap for semiconductors. SEMATECH (2009); http://www.itrs.net
  • Дж. Барфут, Дж. Тейлор. Полярные диэлектрики и их применения / Пер. с англ. под ред. Л.А. Шувалова. Мир, М. (1970). 526 c
  • S.Y. Wu. IEEE Trans. Electron Devices ED-21, 499 (1974)
  • G.W. Taylor. Integr. Ferroelectrics 1, iii (1992)
  • К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрики. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
  • A. Fazio. MRS Bull. 11, 814 (2004)
  • R. Bez, A. Pirovano. Mater. Sci. in Semicond. Proc. 7, 394 (2004)
  • G. Grynkewich, J. Angstremkerman, P. Brown, B. Butcher, R.W. Dave, M. De Herrera, M. Durlam, B.N. Engel, J. Janesky, S. Pietambaram, N.D. Rizzo, J.M. Slaughter, K. Smith, J.J. Sun, S. Tehrani. MRS Bull. 11, 818 (2004)
  • H. Jeong, K. Kim. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 830, D7.6.1 (2005)
  • В.М. Фридкин. УФН 176, 203 (2006)
  • C.H. Ahn, K.M. Rabe, J.-M. Triscone. Science 303, 488 (2004)
  • V.I. Petrovsky, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov. Integr. Ferroelectrics 3, 59 (1993)
  • F.J. Walker, R.A. Mc Kee. In: High dielectric constant materials VLSI MOSFET applications / Eds H.R. Huff, D.C. Gilmer. Springer-Verlag, Heidelberg --- Berlin (2006). 607 p
  • B.-E. Park, H. Ishiwara. Ferroelectrics 293, 145 (2003)
  • S.-M. Yoon, I.-K. You, N.-Y. Lee, K.-D. Kim, S.-M. Cho, S.-O. Ryu, W.-C. Shin, K.-J. Choi, B.-G. Yu. Ferroelectrics 293, 195 (2003)
  • S. Kawashima, J.S. Cross. In: Embedded memories for nano-scale VLSIs / Ed. K. Zhang, Springer Science \& Business Media Inc., N. Y. (2009). 279 p
  • К.А. Воротилов, А.С. Сигов. Нано- и микросистемная техника 10, 30 (2008)
  • J. Niinisto, K. Kukli, M. Heikkila, M. Ritala, M. Leskela. Adv. Eng. Mater. 11, 223 (2009)
  • F.G. Celii, M. Thakre, M.K. Gay, S.R. Summerfelt, S. Aggarwal, J.S. Martin, L. Hall, K.R. Udayakumara, T.S. Moise. Integr. Ferroelectrics 53, 269 (2003)
  • D.J. Wouters, D. Maes, L. Goux, J.G. Lisoni, V. Paraschiv, J.A. Johnson, M. Schwitters, J.-L. Everaert, W. Boullart, M. Schaekers, M. Willegems, H. Vander Meeren, L. Haspeslagh, C. Artoni, C. Caputa, P. Casella, G. Corallo, G. Russo, R. Zambrano, H. Monchoix, G. Vecchio, L. Van Autryve. J. Appl. Phys. 100, 051 603 (2006)
  • J. Baliga. Semicond. Int. 11, 1 (2000)
  • E. Fujii; K. Uchiyama. Integr. Ferroelectrics 53, 317 (2003)
  • D. Takashima. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1250, G11-01 (2010)
  • А.С. Валеев, В.Н. Дягилев, А.А. Львович, В.И. Сладков, Т.П. Трайнис, К.А. Воротилов, Е.Ф. Певцов, В.И. Петровский, А.С. Сигов, М.И. Яновская, И.Е. Обвинцева, Е.П. Ковсман, Л.И. Соловьева. Электрон. пром-сть 6, 75 (1994)
  • А. Валеев, К. Воротилов. Электроника: наука, технология, бизнес 3-4, 75 (1998)
  • К.А. Воротилов, А.С. Сигов, А.А. Романов, П.Р. Машевич. Наноматериалы и наноструктуры 1, 45 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.