Вышедшие номера
Эффекты деполяризующего поля в перфорированной пленке двухосного сегнетоэлектрика
Леванюк А.П.1,2, Misirlioglu I.B.3, Мишина Е.Д.1, Сигов А.С.1
1Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de Madrid, Madrid, Spain
3Faculty of Engineering and Natural Sciences, Sabanci University, Tuzla/Orhanli, Istanbul, Turkey
Email: mishina_elena57@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

С помощью численного моделирования на основе феноменологической теории сегнетоэлектричества и уравнений электростатики в рамках итерационного метода Гаусса-Зайделя изучена доменная структура в слое двухосного сегнетоэлектрика, перфорированного цилиндрическими каналами. Обе полярные оси лежат в плоскости пленки, что характерно для тонких эпитаксиальных пленок BaTiO3 и (Ba1-xSrx)TiO3 на подложке МgO. В расчетах используются параметры BaTiO3, что не имеет принципиального значения ввиду сугубо качественного характера результатов: электростатическая задача считается двумерной и формально относится к бесконечно толстым, а не к тонким слоям. Основное внимание уделяется системам, содержащим шестнадцать каналов. Рассмотрены две различные ориентации полярных осей относительно решетки каналов. Показано, что характер доменной структуры для этих ориентаций различается: когда линия с минимальным расстоянием между каналами перпендикулярна биссектрисе угла между полярными осями, эта структура содержит один канал в повторяющемся мотиве и вихрь поляризации; когда одна из полярных осей перпендикулярна линии с минимальным расстоянием между каналами, ситуация менее ясна. Имеются указания на то, что повторяющийся мотив доменной структуры в системе очень многих каналов содержит два канала и не содержит вихрей. Отмечено сильное влияние электродов на доменную структуру в этом случае. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований и Министерством образования и науки (программы "Научно-педагогические кадры инновационной России" и "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 гг.": Центр коллективного пользования "УНО Электроника").
  1. E. Mishina, A. Zaitsev, N. Ilyin, N. Sherstyuk, A. Sigov, Yu. Golovko, V. Muhortov, A. Kolesnikov, Yu. Lozovik, M. Yemtsova, Th. Rasing. Appl. Phys. Lett. 91, 041 107 (2007)
  2. Е.Д. Мишина, Н.Э. Шерстюк, А.А. Зайцев, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Изв. РАН. Сер. физ. 71, 10, 1424 (2007)
  3. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, В.В. Колесников, С.В. Бирюков. Письма в ЖТФ 31, 23, 75 (2005)
  4. D.D. Fong, A.M. Kolpak, J.A. Eastman, S.K. Streifer, P.H. Fuoss, G.B. Stephenson, C. Thomson, D.M. Kim, K.J. Choi, C.B. Eom, I. Grinberg, A.M. Rappe. Phys. Rev. Lett. 96, 127 601 (2006)
  5. А. Hubert, R. Schafer. Magnetic domains: the analysis of magnetic microstructures. Springer, Berlin (2009)
  6. I. Naumov, L. Bellaiche, H. Fu. Nature (London) 432, 737 (2004)
  7. А.P. Levanyuk, R. Blinc, R. Pirc. Private communication
  8. N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.