Издателям
Вышедшие номера
Прозрачная сегнетоэлектрическая керамика PbMg1/3Nb2/3O3-xPbZr0.53Ti0.47O3: диэлектрические и электрооптические свойства
Камзина Л.С.1, Ruan Wei2, Li Guorong2, Zeng Jiangtao2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China
Email: kamzin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2012 г.

С использованием двухступенчатого метода спекания впервые приготовлена высокопрозрачная сегнетокерамика PbMg1/3Nb2/3O3-xPbZr0.53Ti0.47O3 (PMN-xPZT) без содержания La. Исследовались диэлектрические и электрооптические свойства керамики PMN-xPZT разного состава со значениями x, лежащими как вдали от морфотропной фазовой границы (x=10,16,23%), так и вблизи нее (x=33%). Показано, что в составах, лежащих ближе к морфотропной фазовой границе (x=23 и 33%), в отсутствие электрического поля наблюдается фазовый переход первого рода в макродоменную сегнетоэлектрическую фазу, в то время как составы, лежащие вдали от границы (x=10,16%), остаются в релаксорной кубической фазе вплоть до низких температур. Обнаружено, что в керамике с x=33% величина квадратичных электрооптических коэффициентов при высоких температурах (T>340 K) является наибольшей среди релаксорных систем, что расширяет температурный интервал применения этих твердых растворов в промышленных устройствах. Работа выполнена при поддержке Государственного фонда естественных наук Китая (грант N 61137004) и программы Международного сотрудничества Китайской академии наук (грант N GJHZ1042).
  • L.T. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
  • G. Xu, D. Vieland, J.F. Li, P.M. Gehring, G. Shirane. Phys. Rev. B 68, 212 410 (2003)
  • X. Wan, H. Xu, T. He, D. Lin, H. Luo. J. Appl. Phys. 93, 4766 (2003)
  • S.-E. Park, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 82, 1804 (1997)
  • Y. Lin, B. Ren, X. Zhao, D. Zhou, J. Chen, X. Li, H. Xu, D. Lin, H. Luo. J. Alloys Comp. 507, 425 (2010)
  • Y. Lu, B. Gaynor, C. Hsu, G. Jin, M. Cronin-Golomb, F.E.Wang, J. Zhao, S.Q. Wang, P. Yip, A.J. Drehman. Appl. Phys. Lett. 74, 3038 (1999)
  • Л.С. Камзина, W. Ruan, G. Li, J. Zeng, A. Ding. ФТТ 52, 10, 1999 (2010)
  • W. Ruan, G. Li, J. Zeng, J. Bian, L.S. Kamzina, H. Zeng, L. Zheng, A. Ding. J. Am. Ceram. Soc. 93, 8, 2128 (2010)
  • Л.С. Камзина, W. Ruan, J. Zeng, G. Li. ФТТ 53, 10, 1530 (2011)
  • W. Ruan, G. Li, J. Zeng, L.S. Kamzina, H. Zeng, K. Zhao, L. Zheng, A. Ding. J. Appl. Phys. 110, 074 109 (2011)
  • D. Vieland, J. Powers. J. Appl. Phys. 89, 1820 (2001)
  • M. Davis, D. Damjanovic, N. Setter. Phys. Rev. B, 73, 014 115 (2006)
  • S. Wongsaenmai, Y. Laosiritaworn, S. Ananta, R. Yimnirun. Mater. Sci. Eng. 128, 8388 (2006)
  • G. Singh, V.S. Tiwari, V.K. Wadhawan. Solid State Commun. 118, 407 (2001)
  • G. Singh, V.S. Tiwari. Solid State Commun. 150, 1778 (2010)
  • A.N. Tsotsorin, S.A. Gridnev, S.P. Rogova, A.G. Luchaniniv. Ferroelectrics 235, 171 (1999)
  • G. Singh, V.S. Tiwari. J. Appl. Phys. 101, 014 115 (2007)
  • V. Koval, C. Alemany, J. Briancin, H. Brunckova, K. Saksl. J. Eur. Ceram. Soc. 23, 1157 (2003)
  • B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane. Appl. Phys. Lett. 74, 2059 (1999)
  • H. Jiang, Y.K. Zou, Q. Chen, K.K. Li, R. Zhang, Y. Wang, H. Ming, Z. Zheng, Optoelectron. Devices Integration. Proc. SPIE 5644, 380 (2005)
  • H. Adach, T. Mitsuyu, O. Yamazaki, K. Wasa. J. Appl. Phys. 60, 736 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.