Вышедшие номера
Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInS2 и TlGaS2
Шелег А.У.1, Гуртовой В.Г.1, Шевцова В.В.1, Мустафаева С.Н.2, Керимова Э.М.2
1НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: hurtavy@physics.by
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследованы зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlInS2 и TlGaS2 от температуры и дозы облучения электронным пучком. Установлено, что облучение электронами с ростом дозы приводит к значительному увеличению значений удельной электропроводности sigma и уменьшению диэлектрической проницаемости varepsilon во всей исследованной области температур (80-320 K). Показано, что на температурных зависимостях sigma=f(T) и varepsilon=f(T) в областях характерных для TlInS2 фазовых переходов наблюдаются аномалии в виде максимумов. Облучение кристаллов TlInS2 и TlGaS2 электронами дозой 1015 и 1016 cm-2 не приводит к изменению температур фазовых переходов в них. Построены дисперсионные кривые диэлектрической проницаемости varepsilon кристалла TlGaS2.
  1. О.З. Алекперов, А.И. Наджафов. Неорган. материалы 40, 12, 1423 (2004)
  2. О.З. Алекперов, А.И. Наджафов. Неорган. материалы 45, 1, 9 (2009)
  3. С.Б. Вахрушев, В.В. Жданова, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 6, 245 (1984)
  4. А.У. Шелег, О.Б. Плющ, В.А. Алиев. ФТТ 36, 1, 245 (1994)
  5. И.В. Алексеев. ПТЭ 3, 9 (2008)
  6. А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, К.Р. Аллахвердиев, Р.М. Сардарлы. ФТТ 25, 3583 (1983)
  7. Б.Р. Гаджиев, Мир-Гасан Ю. Сеидов, В.Р. Абдурахманов. ФТТ 38, 1, 3 (1996)
  8. Р.А. Сулейманов, М.Ю. Сеидов, Ф.М. Салаев, Ф.А. Микаилов. ФТТ 35, 2, 348 (1993)
  9. E. Senturk, L. Tumbek, F.A. Mikailov, F. Salehli. Cryst. Res. Technol. 42, 6, 626 (2007)
  10. F.A. Mikailov. Cryst. Res. Technol. 44, 1, 82 (2009)
  11. A.M. Panich. J. Phys.: Cond. Matter 20, 1 (2008)
  12. Е.С. Крупников, Г.И. Абуталыбов. ФТТ 34, 9, 2964 (1992)
  13. С.Г. Абдулаева, А.М. Абдулаев, К.К. Мамедов, Н.Г. Мамедов. ФТТ 26, 2, 618 (1984)
  14. А.У. Мальгасов, Б.С. Кульбужев, Б.М. Хамхоев. Неорган. материалы 25, 2, 216 (1989)
  15. Р.А. Алиев, К.Р. Аллахвердиев, А.И. Баранов, Н.Р. Иванов, Р.М. Сардалы. ФТТ 26, 5, 1271 (1984)
  16. M. Acikgo. Turk. J. Phys. 32, 145 (2008)
  17. Е.В. Пешиков. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Фан, Ташкент (1986). 138 с
  18. A. Kato, M. Nishigaki, N. Mamedov, M. Yamazaki, S. Abdullayeva, E. Kerimova, H. Uchiki, S. Iida. J. Phys. Chem. Solids 64, 1713 (2003)
  19. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009)
  20. А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 45, 1, 68 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.