Издателям
Вышедшие номера
Энтальпия образования дефектов Шоттки в полупроводниках
Горичок И.В.1
1Прикарпатский национальный университет им. Васыля Стэфаныка, Ивано-Франковск, Украина
Email: goritchok@rambler.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2012 г.

Проведен расчет энтальпии образования дефектов Шотки в кристаллах соединений A2B6, A3B5 и A4B6. Для этого применен метод, основанный на использовании потенциалов парного взаимодействия Ми--Ленарда--Джонса, параметры которого определены на основе экспериментальных данных о температуре Дебая, параметре Грюнайзена, коэффициенте Пуассона, упругих постоянных и модуле всестороннего сжатия. Полученные значения энтальпии образования согласуются с известными литературными данными и могут быть использованы для расчета концентраций этих дефектов в кристаллах.
  • М.Н. Магомедов. ФТТ 34, 3718 (1992)
  • М.Н. Магомедов. ФТТ 34, 3724 (1992)
  • М.Н. Магомедов. ЖФХ 63, 2943 (1989)
  • М.Н. Магомедов. ЖФХ 61, 1003 (1987)
  • Д.М. Фреiк, В.В. Прокопiв, М.О. Галущак, М.В. Пиц, Г.Д. Матеiк. Кристалохiмiя i термодинамiка атомних дефектiв у сполуках A-=SUB=-4-=/SUB=-B-=SUB=-6-=/SUB=-. Плай, Iвано-Франкiвськ (1999). 164 с
  • У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Мир, M. (1983). 381 c
  • Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение / Под. ред. В.Г. Средина. Воениздат, М. (1982). 208 с
  • Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Наука, М. (1967). 176 с
  • К.В. Шалимова. Физика полупроводников. Энергоатомиздат, М. (1985). 392 с
  • В.П. Михальченко. ФТТ 45, 429 (2003)
  • Ю.Х. Векилов, А.П. Русаков. ФТТ 13, 1157 (1971)
  • Y. Zhang. X. Ke, C. Chen, J. Yang, P.R.C. Kent. Phys. Rev. B 80, 024 304 (2009)
  • Л.А. Сергеева. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 16, 1346 (1980)
  • В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, И.А. Фарина. ФТТ 45, 1560 (2003)
  • Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  • В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, Е.А. Широков, А.Н. Кислов. ФТТ 44, 33 (2002)
  • Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев. Химия и компьютерное моделирование. Бутлеровские сообщения (приложение к спецвыпуску) 10, 200 (2002)
  • В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, В.П. Маслов, С.Б. Михрин, Б.Е. Саморуков. ФТП 37, 943 (2003)
  • В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Высш. шк., М. (1984). 352 с
  • Л.Е. Шелимова. Изв. АН СССР Неорган. материалы 24, 1597 (1988)
  • Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев. ФТТ 44, 251 (2002)
  • I.В. Горiчок. Фiзiкa i хiмiя твердого тiла 12, 322 (2011)
  • S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 66, 155 211 (2002)
  • M.A. Berding. Phys. Rev. 60, 8943 (1999)
  • В.И. Байков, Э.И. Исаев, П.А. Коржавый, Ю.Х. Векилов, И.А. Абрикосов. ФТТ 47, 1762 (2005)
  • K. Hoang, S.D. Mahanti, P. Jena. Phys. Rev. B 76, 115 432 (2007)
  • В.В. Прокопiв, I.В. Горiчок. Фiзiка i хiмiя твердого тiла. 7, 717 (2006)
  • В.Н. Чеботин. Физическая химия твердого тела. Химия, М. (1982). 120 с
  • М.Н. Магомедов. ЖТФ 80, 9, 150 (2010)
  • М.Н. Магомедов. ФТТ 45, 33 (2003)
  • М.Н. Магомедов. ФТП 42, 1153 (2008)
  • М.Н. Магомедов. Письма в ЖТФ 27, 18, 36 (2001)
  • Д.С. Сандитов, В.В. Мантанов, М.В. Дармаев, Б.Д. Сандитов. ЖТФ 79, 3, 59 (2009)
  • I. Болеста. Фiзiка твердого тiла. Видавн. центр ЛНУ iм. I. Франка, Львiв (2003). 480 с
  • А. Сакалас, З. Янушкявичюс. Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях. Мокслас, Вильнюс (1988). 153 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.