Вышедшие номера
Магнитомеханический эффект в приповерхностных слоях кремния Cz-Si
Коплак О.В.1, Дмитриев А.И.2, Моргунов Р.Б.2
1УНЦ "Физико-химическое материаловедение" Киевского национального университета им. Т. Шевченко и НАН Украины, Киев, Украина
2Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
Email: aid@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Обнаружено изменение механических свойств приповерхностных слоев кристаллов кремния, выращенных методом Чохральского Cz-n-Si(111), под действием постоянного магнитного поля (B~ 0.1 Т). Магнитостимулированное изменение микротвердости, модуля Юнга, коэффициента пластичности кристаллов кремния коррелирует с изменением параметра кристаллической решетки и внутренних напряжений. Главную роль в магнитомеханическом эффекте играет рост оксидной пленки под действием магнитного поля за счет уменьшения концентрации кислородных комплексов в приповерхностных слоях образца. В микроструктурированном кремнии, где поверхность значительно более развита, магнитное поле вызывает более глубокие изменения внутренних напряжений, чем в монокристаллах. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 10-03-00314-а).
  1. V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, M.V. Koldaeva, E.A. Petrzhik. In: Dislocations in solids / Ed. J.P. Hirth. Elsevier, Amsterdam (2008). V. 14. Ch. 86. P. 333
  2. M. Badylevich, Yu. Iunin, V. Kveder, V. Orlov, Yu. Ossipyan. Solid State Phenomena 95--96, 433 (2004)
  3. O. Koplak, A. Dmitriev, T. Kakeshita, R. Morgunov. J. Appl. Phys. 110, 044 905 (2011)
  4. I. Yonenaga, K. Takahashi. J. Appl. Phys. 101, 053 528 (2007)
  5. А.А. Скворцов, А.В. Каризин. ЖЭТФ 140, 1 (2011)
  6. Р.Б. Моргунов, А.Л. Бучаченко. ЖЭТФ 136, 505 (2009)
  7. R.B. Morgunov, A.L. Buchachenko. Phys. Rev. В 82, 014 115 (2010)
  8. L.C. Ciacchi, M.C. Payne. PRL 95, 196 101 (2005)
  9. K. Kato, T. Uda. Phys. Rev. B 62, 15 978 (2000)
  10. Y. Miyamoto, A. Oshiyama. Phys. Rev. B 41, 12 680 (1990)
  11. J. Lambers, P. Hessa. J. Appl. Phys. 94, 2937 (2003)
  12. J.R. Engstrom, D.J. Bonser, T. Engel. Surf. Sci. 268, 238 (1992)
  13. T. Akiyama, H. Kageshima. Appl. Surf. Sci. 216, 270 (2003)
  14. О. Коплак. Спин-зависимые реакции на поверхности кремния. LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken (2011). 176 c
  15. D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
  16. Stoe WinXPOW, version 2.21, Stoe \& Cie GmbH, Darmstadt http://www.stoe.com/pages/brochure/winxpow\_brochure.pdf
  17. W. Kraus, G. Nolze. J. Appl. Cryst. 29, 301 (1996)
  18. J. Rodriguez-Carvajal. Newsletter 26, 12 (2001)
  19. T. Roisne, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum 378-- 381, 118 (2001)
  20. M.P. Seah. Surf. Interface Anal. 37, 300 (2005)
  21. W.C. Oliver, G.M. Pharr. J. Mater. Res. 7, 1564 (1992)
  22. W.C. Oliver, G.M. Pharr. J. Mater. Res. 19, 3 (2004)
  23. W.C. O`Mara, R.B. Herring, L.P. Hunt. Handbook of semiconductor silicon technology. Noyes Publications, N. J. (1990). 780 p
  24. M. Suezawa, Y. Yamamoto, M. Suemitsu, N. Usami, I. Yonenaga. Appl. Phys. Lett. 93, 101 904 (2008)
  25. M. Suezawa, Y. Yamamoto, M. Suemitsu, I. Yonenaga. Physica B 404, 5156 (2009)
  26. A. Bongiorno, A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett. 93, 086 102 (2004)
  27. B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965)
  28. В. Макара, М. Васильев, Л. Стебленко, О. Коплак, А. Курилюк, Ю. Кобзарь, С. Науменко. ФТП 42, 1061 (2008)
  29. W. Orellana, A.J.R. da Silva, A. Fazzio. Phys. Rev. Lett. 87, 155 901 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.