Вышедшие номера
Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации (к 50-летию полета Ю.А. Гагарина в космос)
Шульпина И.Л.1, Захаров Б.Г.2, Парфеньев Р.В.1, Фарбштейн И.И.1, Серебряков Ю.А.2, Прохоров И.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Филиал Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, НИЦ "Космическое материаловедение", Калуга, Россия
Email: iren.shulpina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Кратко описана история выращивания кристаллов полупроводников на борту космических аппаратов и их последующего исследования. На примере кристаллов Ge(Ga), GaSb(Si), GaSb(Te) показано, что при их рекристаллизации вертикальным методом Бриджмена в условиях физического моделирования микрогравитации на Земле удается избежать формирования сегрегационных полос роста, главным образом за счет существенного ослабления термогравитационной конвекции. По своей структуре и распределению примеси они приближаются к выращенным в космосе. Исследование рекристаллизации Te позволило определить роль характерного для условий микрогравитации "эффекта отрыва" и особенности микроструктуры образцов, кристаллизующихся со "свободной" поверхностью. Анализ результатов экспериментов в космосе позволяет лучше понять процессы, происходящие при кристаллизации расплавов, и совершенствовать наземную технологию выращивания кристаллов.