Исследовано влияние облучения сфокусированным пучком ионов гелия с энергий 35 keV в интервале доз от 10¹¹ до 10¹⁵ cm^-2 на интенсивность и спектры катодолюминесценции кристаллов алмаза, выращенных при высоких давлениях и температурах. Установлено, что ионное облучение при дозах до 10¹³ cm^-2 приводит к обратимому увеличению интенсивности люминесценции спектральных полос исходного материала и к необратимому разгоранию центров, относимых к вакансиям GR1, а также к содержащим междоузельные атомы углерода 3Н и TR12. Ключевые слова: diamond, helium ion microscope, cathodoluminescence, boron impurities, vacancies, self-interstitials, defects.