Теллурид германия является перспективным среднетемпературным термоэлектриком благодаря сочетанию хороших электронных транспортных свойств и сравнительно низкой решеточной теплопроводности. К особенностям материала относится высокое содержание вакансий германия, которые могут образовывать вакансионные плоскости. В настоящей работе методом обратной неравновесной молекулярной динамики с использованием потенциала машинного обучения исследовано влияние случайно расположенных вакансий и вакансионных плоскостей на решеточную теплопроводность ромбоэдрического GeTe при комнатной температуре. При случайном расположении вакансий с концентрацией 1.5-3 at.% расчетная величина теплопроводности снижается в 2-3 раза по сравнению с бездефектным кристаллом. При упорядочении вакансий в плоскости, перпендикулярные тригональной оси, распределение температуры вдоль теплового потока изменяется. На нем появляются скачки температуры в местах расположения вакансионных плоскостей, соответствующие локализованному тепловому сопротивлению около 2·10^-8 m^2·K/W. Моделирование для такой слоистой структуры, соответствующей концентрации вакансий в 3 at.%, дало значение эффективной теплопроводности примерно в 3 раза меньше, чем при случайном расположении вакансий с той же концентрацией. Наличие температурного скачка было воспроизведено в тестовом моделировании с первопринципным расчетом межатомных сил. Ослабление связей между атомными слоями теллура по обе стороны вакансионной плоскости подтверждается расчетом эффективных межплоскостных силовых постоянных. Полученные результаты показывают, что пространственное распределение вакансий существенно влияет на перенос тепла в GeTe. Ключевые слова: теллурид германия, решеточная теплопроводность, вакансионные плоскости, тепловое сопротивление, обратная неравновесная молекулярная динамика.