Разработана технология изготовления p-i-n диодов на основе слоев GeSiSn и получена серия p-i-n светодиодов, включающих гетероструктуру GeSiSn/Ge, на подложке Ge(100), демонстрирующих электролюминесценцию в температурном диапазоне от 10 до 300 K. В спектре электролюминесценции при 10 K наблюдается полоса в диапазоне 0.68-0.76 eV с максимумом около 0.716 eV и плечом при 0.74 eV. Температурная зависимость интегральной интенсивности электролюминесценции описывается двумя энергиями активации - 28 и 6 meV, которые могут быть связаны соответственно с мелкими ловушками и энергией связи экситона. Интегральная интенсивность электролюминесценции имеет сверхлинейную зависимость от тока инжекции при 10 K с показателем степени, близким к 2. При повышении температуры показатель степени уменьшается до 1.25 при 300 K, что объясняется переходом от механизма излучательной рекомбинации к смешанному механизму, включающему излучательную и безызлучательную Оже-рекомбинацию. Изготовленные p-i-n диоды являются перспективными для устройств инфракрасной фотоники, основанных на материалах IV группы. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, германий-кремний-олово, электролюминесценция, энергия активации, рекомбинация.