Массивы квантовых точек InSb были получены методом жидкофазной эпитаксии на слоях многокомпонентных твердых растворов в системе (In,Ga)-As-Sb, обогащенных арсенидом индия и близких по параметру кристаллической решетки к подложке InAs. Рассмотрены варианты матричного слоя, в котором замещались как атомы подрешетки группы V, так и атомы подрешетки группы III. Наблюдалось изменение характера распределения и увеличение поверхностной плотности полученных квантовых точек в зависимости от состава поверхности матричного слоя. Ключевые слова: Квантовые точки, твердые растворы, InAs, InSb, InGaAsSb, атомно-силовая микроскопия, энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия, наногетероструктуры.