Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование электрофизических характеристик изотипного гетероперехода 3C-SiC-Si

Полонский Н.В.^1,2, Лобанок М.В.¹, Козодоев С.В.³, Гайдук П.И.¹

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

²НИУ " Институт ядерных проблем" БГУ, Минск, Беларусь
³ОАО " ИНТЕГРАЛ" --- управляющая компания холдинга " ИНТЕГРАЛ", Минск, Беларусь

Email: Palonski.Mikita@yandex.by, mishalobanok@gmail.com, gaiduk@bsu.by

Поступила в редакцию: 1 июля 2026 г.

В окончательной редакции: 10 сентября 2026 г.

Принята к печати: 11 сентября 2026 г.

Выставление онлайн: 16 октября 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С использованием методов молекулярно-лучевой эпитаксии слоев 3C-SiC и электронно-лучевого испарения пленок металлов изготовлены выпрямляющие структуры Me|3C-SiC|Si (Me=Al, Ti, Ni). Измерения вольт-фарадных характеристик показали, что область пространственного заряда локализована в кремниевой подложке. Обнаружено, что в структурах Al|SiC|Si и Ni|SiC|Si ширина области пространственного заряда составляет соответственно 10.69 и 14.09 μm, что коррелирует с увеличением работы выхода металла. Путем численного решения одномерного уравнения Пуассона рассчитаны распределения потенциалов в слое 3C-SiC и Si. Полученные результаты интерпретированы с помощью модели металл-диэлектрик-полупроводник с учётом поверхностных состояний на границе раздела 3C-SiC-Si. Ключевые слова: гетероструктуры 3C-SiC|Si, изотипный гетеропереход, уравнение Пуассона, плотность поверхностных состояний.

A.E. Kaloyeros, B. Arkles. In: Silicon Carbide --- From Materials Science to Nanotechnology and Microelectronics/ Ed. M. Amorim Fraga. IntechOpen (2025). Ch. 3. DOI: 10.5772/intechopen.1008414
М.В. Лобанок, Н.В. Полонский, П.И. Гайдук. Журнал прикладной спектроскопии 90, 5, 775 (2023). [M.V. Lobanok, M.V. Palonski, P.I. Gaiduk. J. Appl. Spectrosc. 90, 5, 1064 (2023).]
S.A. Kukushkin, L.K. Markov, A.S. Pavlyuchenko, I.P. Smirnova, A.V. Osipov, A.S. Grashchenko, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, G.V. Sviatets. Coatings 13, 7, 1142 (2023)
P. Tanner, A. Iacopi, H.-P. Phan, S. Dimitrijev, L. Hold, K. Chaik, G. Walker, D.V. Dao, N.-T. Nguyen. Sci. Rep. 7, 1, 17734 (2017)
D.H. Dang Tran, T.-H. Nguyen, C.T. Nguyen, E.W. Streed, N.-T. Nguyen, V.T. Dau, D.V. Dao. Nano Energy 128, Part A, 109844 (2024)
J. Liang, S. Nishida, T. Hayashi, M. Arai, N. Shigekawa. Appl. Phys. Lett. 105, 15, 151607 (2014)
А.С. Зубрилов. ФТП 28, 10, 1742 (1994). [A.S. Zubrilov. Semiconductors 28, 10, 967 (1994).]
J. Pezoldt, C. Forster, P. Weih, P. Masri. Appl. Surf. Sci. 184, 1-4, 79 (2001)
R.R. Juluri, P. Gaiduk, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen, B. Julsgaard. Thin Solid Films 662, 103 (2018)
E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal--semiconductor Contacts, 2nd ed. Clarendon Press, Oxford (1988). 252 p
А.С. Гращенко, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, Е.В. Калинина, С.А. Кукушкин. ФТП 51, 5, 651 (2017). [A.S. Grashchenko, N.A. Feoktistov, A.V. Osipov, E.V. Kalinina, S.A. Kukushkin. Semiconductors 51, 5, 621 (2017).]
N. Georgoulas, L. Magafas, A. Thanailakis. Active \& Passive Electron. Components 16, 1, 55 (1993)
J. Mukherjee, A. Ranjan, A.K. Saxena, S. Karan, D.K. Dutta Majumder, A. Ghosh, S. Ghosh, P.K. Das, R. Banerjee. J. Mater. Chem. C 1, 42, 6945 (2013)
A.G. Milnes, D. Feucht. Heterojunctions and metal-semiconductor junctions. Academic Press, New York (1972)
Л.С. Стильбанс. Физика полупроводников. Сов. радио, М. (1967). 451 c
A. Arvanitopoulos, N. Lophitis, S. Perkins, K.N. Gyftakis, M. Belanche Guadas, M.A. Antoniou. Proceed. IEEE 11th Int. Symp. Diagn. Electr. Mach., Power Electron. Drives (SDEMPED), 565 (2017)
A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys. 36, 10, 3212 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель