Вышедшие номера
Токи деполяризации в структуре BiFeO3/TiO2(Nt)Ti в зависимости от времени воздействия и величины поляризующего напряжения
Гаджиев Г.М.1, Рамазанов Ш.М.1, Абакарова Н.С.1, Эфендиева Т.Н.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 2025 г.
В окончательной редакции: 7 ноября 2025 г.
Принята к печати: 10 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 2025 г.

Изучено поведение токов деполяризации пленочной структуры BiFeO3/TiO2(Nt)Ti после снятия внешнего напряжения в зависимости от длительности воздействия (0-4 s) и величины (30-55 V). Установлена неоднозначная связь времени релаксации и времени поляризации, обусловленная токами утечки и процессами захвата/эмиссии носителей на дефектные уровни (кислородные вакансии) образца. Релаксационные процессы и токи утечки существенно определяют электрические свойства мемристорных структур на основе BiFeO3. Характерные времена релаксации и их связь с состоянием ловушек позволяют рассматривать методику анализа токов деполяризации как эффективный инструмент диагностики качества пленок и оценки их эксплуатационных пределов. Ключевые слова: BiFeO3, ток деполяризации, нанотрубки, тонкие пленки, сегнетоэлектрический мемристор.
  1. J. Borghetti, G.S. Snider, P.J. Kuekes, J.J. Yang, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature Letters 464, 873 (2010)
  2. J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nat. Nanotechnol. 8, 13 (2013)
  3. D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature letters 453, 80 (2008)
  4. S.M. Yakout. J. Supercond. Nov. Magn. 34, 2, 317 (2021)
  5. N.A. Spaldin, R. Ramesh. Nat. mater. 18, 3, 203 (2019)
  6. A.Q. Jiang, C. Wang, K.J. Jin, X.B. Liu, J.F. Scott, Ch.S. Hwang, T.A. Tang, H.B. Lu, G.Z. Yang. Adv. Mater. 23, 1277 (2011)
  7. Z. Zhao, A. Abdelsamie, R. Guo, S. Shi, J. Zhao, W. Lin, K. Sun, J. Wang, J. Wang, X. Yan, J. Chen. Nano Research 15, 3, 2682 (2022)
  8. J. Wu, J. Wang. J. Appl. Phys. 108, 9, 094107 (2010)
  9. J. Wu, X. Lou, Y. Wang, J. Wang. Electrochem. Solid-State Lett. 13, 2, 9 (2009)
  10. S. Ramazanov, F. Orudzhev, G. Gajiev. Surfaces 7, 1, 1 (2024)
  11. S. Ramazanov, F. Orudzhev, G. Gajiev, V. Holcman, R.S. Matos, H.D. da Fonseca Filho, S. Tvalu, D. Selimov. Appl. Surf. Sci. 647, 158863 (2024)
  12. Yu.V. Podgorny, A.N. Antonovich, K.A. Vorotilov \& A.S. Sigov. Ferroelectrics 544, 82 (2019)
  13. Y.V. Podgorny, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. AIP Advances 6, 9, 095025 (2016)
  14. Ю.В. Подгорный, П.П. Лавров, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ 57, 3, 465 (2015)
  15. S. Lancaster, P.D. Lomenzo, M. Engl, B. Xu, T. Mikolajick, U. Schroeder, S. Slesazeck. Front. Nanotechnol. 4, 17, 1 (2022)
  16. J.H. Lee, Y. Lee, J.-K. Han, K.D. Kim, S.R. Byun, H.W. Park, C.S. Hwang. Adv. Electron. Mater. 11, 3, 2400516 (2024)
  17. Г.М. Гаджиев, Ш.М. Рамазанов, Н.С. Абакарова, Т.Н. Эфендиева. ФТТ 66, 2, 259 (2024)
  18. Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков. Энергия, М.-Л. (1965). 344 с
  19. T. You, N. Du, S. Slesazeck, T. Mikolajick, G. Li, D. Burger, I. Skorupa, H. Stocker, B. Abendroth, A. Beyer, K. Volz, O.G. Schmidt, H. Schmidt. ACS Appl. Mater. Interfaces 6, 19758 (2014)
  20. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Наука, Л. (1981). C. 28
  21. Ю.В. Подгорный, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ 54, 3, 859 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.