Токи деполяризации в структуре BiFeO3/TiO2(Nt)Ti в зависимости от времени воздействия и величины поляризующего напряжения
Гаджиев Г.М.1, Рамазанов Ш.М.1, Абакарова Н.С.1, Эфендиева Т.Н.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН, Махачкала, Россия

Поступила в редакцию: 15 сентября 2025 г.
В окончательной редакции: 7 ноября 2025 г.
Принята к печати: 10 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 2025 г.
Изучено поведение токов деполяризации пленочной структуры BiFeO3/TiO2(Nt)Ti после снятия внешнего напряжения в зависимости от длительности воздействия (0-4 s) и величины (30-55 V). Установлена неоднозначная связь времени релаксации и времени поляризации, обусловленная токами утечки и процессами захвата/эмиссии носителей на дефектные уровни (кислородные вакансии) образца. Релаксационные процессы и токи утечки существенно определяют электрические свойства мемристорных структур на основе BiFeO3. Характерные времена релаксации и их связь с состоянием ловушек позволяют рассматривать методику анализа токов деполяризации как эффективный инструмент диагностики качества пленок и оценки их эксплуатационных пределов. Ключевые слова: BiFeO3, ток деполяризации, нанотрубки, тонкие пленки, сегнетоэлектрический мемристор.
- J. Borghetti, G.S. Snider, P.J. Kuekes, J.J. Yang, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature Letters 464, 873 (2010)
- J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nat. Nanotechnol. 8, 13 (2013)
- D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature letters 453, 80 (2008)
- S.M. Yakout. J. Supercond. Nov. Magn. 34, 2, 317 (2021)
- N.A. Spaldin, R. Ramesh. Nat. mater. 18, 3, 203 (2019)
- A.Q. Jiang, C. Wang, K.J. Jin, X.B. Liu, J.F. Scott, Ch.S. Hwang, T.A. Tang, H.B. Lu, G.Z. Yang. Adv. Mater. 23, 1277 (2011)
- Z. Zhao, A. Abdelsamie, R. Guo, S. Shi, J. Zhao, W. Lin, K. Sun, J. Wang, J. Wang, X. Yan, J. Chen. Nano Research 15, 3, 2682 (2022)
- J. Wu, J. Wang. J. Appl. Phys. 108, 9, 094107 (2010)
- J. Wu, X. Lou, Y. Wang, J. Wang. Electrochem. Solid-State Lett. 13, 2, 9 (2009)
- S. Ramazanov, F. Orudzhev, G. Gajiev. Surfaces 7, 1, 1 (2024)
- S. Ramazanov, F. Orudzhev, G. Gajiev, V. Holcman, R.S. Matos, H.D. da Fonseca Filho, S. Tvalu, D. Selimov. Appl. Surf. Sci. 647, 158863 (2024)
- Yu.V. Podgorny, A.N. Antonovich, K.A. Vorotilov \& A.S. Sigov. Ferroelectrics 544, 82 (2019)
- Y.V. Podgorny, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. AIP Advances 6, 9, 095025 (2016)
- Ю.В. Подгорный, П.П. Лавров, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ 57, 3, 465 (2015)
- S. Lancaster, P.D. Lomenzo, M. Engl, B. Xu, T. Mikolajick, U. Schroeder, S. Slesazeck. Front. Nanotechnol. 4, 17, 1 (2022)
- J.H. Lee, Y. Lee, J.-K. Han, K.D. Kim, S.R. Byun, H.W. Park, C.S. Hwang. Adv. Electron. Mater. 11, 3, 2400516 (2024)
- Г.М. Гаджиев, Ш.М. Рамазанов, Н.С. Абакарова, Т.Н. Эфендиева. ФТТ 66, 2, 259 (2024)
- Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков. Энергия, М.-Л. (1965). 344 с
- T. You, N. Du, S. Slesazeck, T. Mikolajick, G. Li, D. Burger, I. Skorupa, H. Stocker, B. Abendroth, A. Beyer, K. Volz, O.G. Schmidt, H. Schmidt. ACS Appl. Mater. Interfaces 6, 19758 (2014)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Наука, Л. (1981). C. 28
- Ю.В. Подгорный, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ 54, 3, 859 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.