Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Природа дефектов, ответственных за красный сдвиг края фундаментального поглощения и увеличение показателя преломления облученного Si3N4
The work was supported by the state assignment of the Institute of Semiconductor Physics SB RAS , FWGW-2025-0010
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: grits@isp.nsc.ru, nov@isp.nsc.ru, aagismatulin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 октября 2025 г.
В окончательной редакции: 5 ноября 2025 г.
Принята к печати: 5 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 2025 г.
Методом фотоэлектронной спектроскопии и инфракрасного поглощения изучаются атомное строение облученного ионами бора (B+) аморфного нитрида кремния Si3N4. Облучение ионами B+ сопровождается красным смещением края фундаментального поглощения Si3N4. Облучение ионами B+ приводит к уширению атомного Si 2s-уровня в направлении меньших энергий, что указывает на образование кремний-кремниевых (Si-Si) связей. Образование Si-Si связей за счет расщепления уровней связующих и анти-связующих орбиталей приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны и увеличению показателя преломления. Ключевые слова: Si3N4, облучение, ионы бора, дефекты, Si-Si связи.
- В.А. Гриценко. Cтроение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Наука, М. (1993). 278 c
- L. Huckmann, J. Cottom, J. Meyer. Adv. Phys. Res. 3, 2300109 (2024)
- C. Wilhelmer, D. Waldhor, L. Cvitkovich, D. Milardovich, M. Waltl, T. Grasse. Phys. Rev. B 110, 045201 (2024)
- A. Goda. Electronics 10, 3156 (2021)
- A. Padovani, A. Arreghini, L. Vandelli, L. Larcher, G. Van den bosch, P. Pavan, J. Van Houdt. IEEE Trans. Electron Devices 58, 3147 (2011)
- W.L. Warren, P.M. Lenahan. Phys. Rev. B 42, 1773 (1990)
- W.L. Warren, P.M. Lenahan, S.E. Curry. Phys. Rev. Lett. 65, 207 (1990)
- A.A. Karpushin, A.N. Sorokin, V.A. Gritsenko. JETP Letters 103, 3, 171 (2016)
- V.A. Gritsenko, N.V. Perevalov, O.M. Orlov, G.Ya. Krasnikov. Appl. Phys. Lett. 109, 06294 (2016)
- L. Marti n-Moreno, E. Marti nez, J.A. Verges, F. Yndurain. Phys. Rev. B 35, 9683 (1987)
- J.F. Justo, F. de Brito Mota, A. Fazzio. Phys. Rev. B 65, 073202 (2002)
- H.J. Stein. J. Appl Phys. 47, 8, 3421 (1976)
- G. Li, H. San, X.-Y. Chen. J. Appl. Phys. 105, 124503 (2009)
- O. Debieu, R.P. Nalini, J. Cardin, X. Portier, J. Perriere, F. Gourbilleau. Nanoscale Res. Lett. 8, 31 (2013)
- R. Karcher, L. Ley, R.L. Johnson. Phys. Rev. 8, 30, 1896 (1984)
- O.V. Rambadey, A. Kumar, A. Sati, P.R. Sagdeo. ACSOmega 6, 32231 (2021)
- F. Tiour, B. Benyahia, N. Brihi, A. Sari, Br. Mahmoudi, A. Manseri, A. Guenda. Appl. Phys. A 126, (2020) 59
- V. Jaina, M.C. Biesingerb, M.R. Linford. Appl. Surf. Sci. 447, 548 (2018)
- http://xpsdatabased/silicon-si-z14
- I. Hoflijk, A. Vanleenhove, I. Vaesen, C. Zborowski, K. Artyushkova, T. Conard. Surf. Sci. Spectra 29, 014013 (2022)
- G. Heinricha, I. Hoger, M. Bahr, K. Stolberg, T. Wutherich, M. Leonhardt, A. Lawerenz, G. Gobsch. Energy Procedia 27, 491 (2012)
- H.H. Nguyen, R. Jayapal, N.S. Dang, V.D. Nguyen, T.T. Trinh, K. Jang, J. Yi. Microelectron. Eng. 98, 34 (2012)
- I. Guler. ECS J. Solid State Sci. Technol. 12, 046002 (2023)
- https://refractiveindex.info/?shelf=main\&book=Si\&page= Schinke
- https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_nitride
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
