Представлены результаты экспериментальных исследований барических зависимостей электро- и магнитосопротивления n-CdAs₂ при давлениях до 50 GPa и в магнитных полях до 1 T. Показано, что при увеличении давления формируются высокие значения отрицательного магнетосопротивления (до 8 %). Исследованы релаксационные эффекты, обусловленные пластической деформацией материалов. В интервале давлений 25-35 GPa наблюдается значительное увеличение времени релаксации электросопротивления, по-видимому, обусловленное протяженным, из-за метастабильных состояний, структурным фазовым переходом I-рода. Структурное превращение отражается и на электронной подсистеме, что приводит к нарастающим с магнитным поле минимумам на барических зависимостях магнетосопротивления. Ключевые слова: электросопротивление, магнитосопротивление, магнитные поля, высокое давление.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.