Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Транспорт носителей тока в тонких пленках иридата стронция и в сверхпроводящих гетероструктурах

Российский Научный фонд, , МНК-БРФФИ (2022), 23-49-10006

Кислинский Ю.В.

¹, Москаль И.Е.¹, Байдикова В.А.^1,2, Константинян К.И.¹, Дубицкий Н.В.^1,3, Петржик А.М.¹, Ульев Г.Д.^1,3, Шадрин А.В.^1,4, Шмаков В.А.¹, Овсянников Г.А.¹

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия MIREA - Russian Technological University, Moscow, Russia

³Национальный исследовательский университет, Высшая школа экономики, Москва, Россия
⁴Московский физико-технический институт (MФТИ), Долгопрудный, Московская обл., Россия

Email: yulii@hitech.cplire.ru

Поступила в редакцию: 6 марта 2025 г.

В окончательной редакции: 6 марта 2025 г.

Принята к печати: 5 мая 2025 г.

Выставление онлайн: 18 августа 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

По температурным зависимостям сопротивлений установлены механизмы транспорта носителей тока в тонких пленках иридата стронция с сильным спин-орбитальным взаимодействием, изготовленные тремя технологическими методами: путем распыления на поcтоянном токе, с использованием импульсного источника напряжения и лазерной абляцией. Определены модели сверхпроводящего транспорта в переходах на основе купратного сверхпроводника YBa₂Cu₃O_7-x и ниобия с барьерами из иридатов стронция. Ключевые слова: иридат стронция, прыжковая проводимость, спин-орбитальное взаимодействие, электрон-электронное взаимодействие, эффект Джозефсона.

M. Eschrig. Rep. Prog. Phys. 78, 104501 (2015). DOI: 10.1088/0034-4885/78/10/104501
J. Linder, J.W.A. Robinson. Nat. Phys. 11, 307 (2015). DOI: https://doi.org/10.1038/nphys3242
M. Horsdal, G. Khaliullin, T. Hyart, B. Rosenow. Phys. Rev. B 93, 220502(R) (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.93.220502
F.S. Bergeret, I.V. Tokatly. Phys. Rev. B 89, 134517 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevB.89.134517
S.H. Jacobsen, J. Linder. Phys. Rev. B 92, 024501 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.92.024501
F. Konschelle, I.V. Tokatly, F.S. Bergeret. Eur. Phys. J. B 87, 119 (2014). DOI: 10.1140/epjb/e2014-50143-0
N. Satchell, N.O. Birge. Phys. Rev. B 97, 214509 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.214509
G. Cao, P. Schlottmann. Rep. Progress in Phys. 81, 042502 (2018). DOI: 10.1088/1361-6633/aaa979
Yige Chen, Hae-Young Kee. Physical Rev. B 97, 085155 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.085155
A.M. Petrzhik, K.Y. Constantinian, G.A. Ovsyannikov, A.V. Zaitsev, A.V. Shadrin, A.S. Grishin, Yu.V. Kislinskii, G. Cristiani, G. Logvenov. Phys. Rev. B 100, 024501 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.100.024501
K.Y. Constantinian, A.M. Petrzhik, G.A. Ovsyannikov, A.V. Shadrin, Yu.V. Kislinskii, G. Cristiani, G. Logvenov. Journal of Physics Conference Series 1559, 012023 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1559/1/012023
К.И. Константинян, Г.А. Овсянников, А.М. Петржик, А.В. Шадрин, Ю.В. Кислинский, G. Cristiani, G. Logvenov. ФТТ 62, 9, 1385 (2020). DOI: 10.21883/FTT.2020.09.49758.03H [K.Y. Constantinian, G.A. Ovsyannikov, A.M. Petrzhik, A.V. Shadrin, Yu.V. Kislinskii, G. Cristiani, G. Logvenov. Physics of the Solid State 62, 9, 1549 (2020). DOI: 10.1134/S1063783420090152]
Y.V. Kislinskii, K.Y. Constantinian, I.E. Moskal, N.V. Dubitskiy, A.M. Petrzhik, A.V. Shadrin, G.A. Ovsyannikov. Russian Microelectronics 52, S53 (2023). DOI: 10.1134/S1063739723600802
Ю.В. Кислинский, К.И. Константинян, И.Е. Москаль, А.М. Петржик, А.В. Шадрин, Г.А. Овсянников. ФТТ 64, 10, 1412 (2022). DOI: 10.21883/FTT.2022.10.53082.32HH [Yu.V. Kislinskii, K.Y. Constantinian, I.E. Moskal, A.M. Petrzhik, A.V. Shadrin, G.A. Ovsyannikov. Physics of the Solid State 64, 10, 1394 (2022).]
A. Biswas, K.S. Kim, Y.H. Jeongl. Journal of Appl. Phys. 116, 213704 (2014). http://dx.doi.org/10.1063/1.4903314
M.K. Crawford, M.A. Subramanian, R.L. Harlow. Phys. Rev. B 49, 9198 (1994)
N.E. Hussey, K. Takenaka, H. Takagi. Philosophical Magazine 84, 2847 (2004). http://dx.doi.org/10.1080/14786430410001716944
B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Electron--Electron Interactions In Disordered Conductors. In the book Electron--Electron Interactions in Disordered Systems. Eds by A.J. Efros, M. Pollack. De Gruyter, Amsterdam, North Holland (1986). https://doi.org/10.1515/9783112494721-070
Chengliang Lu, Andy Quindeau, Hakan Deniz, D. Preziosi, D. Hesse, M. Alexe. Appl. Phys. Lett. 105, 082407 (2014). http://dx.doi.org/10.1063/1.4894465
A. Barone, G. Paterno. Physics and Applications of the Josephson Effect, Wiley (1982)
D.D. Coon, M.D. Fiske. Phys. Rev. 138, A744 (1965)
И.О. Кулик. Письма в ЖЭТФ 2, 134 (1965)
J.C. Swihart. J. Appl. Phys. 32, 461 (1961). https://doi.org/10.1063/1.1736025

Учредители

Издатель