В материалах на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) с выраженной гранулярной структурой, наряду с основной сверхпроводящей подсистемой - ВТСП гранулами, появляется дополнительная подсистема с ослабленными сверхпроводящими свойствами, сформированная межгранульными границами (переходами джозефсоновского типа). Эта "слабая" сверхпроводящая подсистема проявляется как "малый" магнитный гистерезис, существующий в определенном интервале достаточно слабых внешних полей. В данной работе исследован малый магнитный гистерезис текстурированного образца Bi_1.8Pb_0.3Sr_1.9Ca₂Cu₃O_x (Bi2223), в котором пластинчатые кристаллиты Bi2223 преимущественно ориентированы относительно кристаллографической c-оси. Обнаружено, что диапазон существования малого гистерезиса различается для направлений внешнего магнитного поля H параллельно и перпендикулярно ориентации c-оси кристаллитов. Для объяснения указанного экспериментального факта рассматривается влияние магнитных моментов кристаллитов Bi2223 на эффективное поле в межкристаллитных границах. Линии магнитной индукции от магнитных моментов сверхпроводящих кристаллитов замыкаются через межкристаллитные границы, и при ориентации H normal c происходит частичная компенсация поля, индуцированного соседними кристаллитами, из-за их разупорядочения. Это приводит к тому, что влияние основной сверхпроводящей подсистемы (кристаллитов Bi2223) на подсистему межкристаллитных границ меньше, а диапазон внешнего поля, в котором малый гистерезис существует, при H normal c больше, чем при H|| c. Ключевые слова: текстурированный высокотемпературный сверхпроводник, Bi2223, магнитный гистерезис.