Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Флексоэлектрический эффект в GeTe

РНФ, 22-19-00766

Кузнецов В.Г.

^1,2, Якубов А.О. ³, Терехов Д.Ю.³, Лазаренко П.И.

³, Трепаков В.А. ¹, Колобов А.В.⁴

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

³Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

⁴Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Институт физики, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, Institute of Physics, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, Institute of Physics, St. Petersburg, Russia

Email: vladimir.kuznetsov@mail.ioffe.ru, alexsey007@mail.ru, aka.jum@gmail.com, trevl@mail.ioffe.ru, akolobov@herzen.spb.ru

Поступила в редакцию: 21 ноября 2024 г.

В окончательной редакции: 24 ноября 2024 г.

Принята к печати: 28 ноября 2024 г.

Выставление онлайн: 19 января 2025 г.

PDF версия

Теллурид германия (GeTe) является химически и структурно простым, но при этом многофункциональным материалом. Это и полупроводник, который под давлением становится сверхпроводником, и высокотемпературный сегнетоэлектрик, и фазопеременный материал, и один из лучших термоэлектриков, и материал с рекордно большим эффектом Рашбы. В данной работе мы демонстрируем посредством первопринципных расчетов и электрических измерений, что у GeTe есть еще одно фундаментальное свойство: тонкие пластины теллурида германия могут проявлять флексоэлектрический эффект. Полученные результаты, в сочетании с эффектом Рашбы, открывают возможность механического управления спиновыми свойствами, создавая предпосылки для реализации принципиально новых устройств спинтроники. Ключевые слова: теллурид германия, сегнетоэлектрик, первопринципные расчеты, флексоэлектрический эффект, спинтроника.

H. Cheng, H. Yao, Y. Xu, J. Jiang, Y. Yang, J. Wang, X. Li, Y. Li, J. Shao. Chem. Mater. 36, 3764 (2024)
Н.Х. Абрикосов, Л.Е Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений А^IVB^VI. Наука, М. (1975). 195 c
J.N. Bierly, L. Muldawer, O. Beckman. Acta Metallurgica 11, 447 (1963)
J. Goldak, C.S. Barrett, D. Innes, W. Youdelis. J. Chem. Phys. 44, 3323 (1966)
G.S. Pawley, W. Cochran, R.A. Cowley, G. Dolling. Phys. Rev. Lett. 17, 14, 753 (1966)
Т.Б. Жукова, А.И. Заславский. Кристаллография 12, 37 (1967)
E.F. Sreigmeier, G. Harbeke. Solid. St. Comm. 8, 1275 (1970)
T. Chattopadhyay, J.X. Boucherle, H.G. Von Schnering. J. Phys. C 20, 1431 (1987)
U.D. Wdowik, K. Parlinski, S. Rols, T. Chatterji. Phys. Rev. B 89, 224306 (2014)
J. Li, X. Zhang, X. Wang, Z. Bu, L. Zheng, B. Zhou, F. Xiong, Y. Chen, Y. Pei. J. Am. Chem. Soc. 140, 47, 16190 (2018)
J. Li, X. Zhang, Z. Chen, S. Lin, W. Li, J. Shen, I.T. Witting, A. Faghaninia, Y. Chen, A. Jain, L. Chen, G.J. Snyder, Y. Pei1. Joule 2, 1 (2018)
M. Hong, J. Zou, Z.G. Chen. Adv. Mater. 1807071 (2019)
X. Zhang, Z. Bu, S. Lin, Z. Chen, W. Li, Y. Pei1. Joule 4, 1 (2020)
M. Li, X.L. Shi, Z.G. Chen. Adv. Funct. Mater. 34, 2403498 (2024)
A.V. Kolobov, J. Tominaga. Chalcogenides: metastability and phase-change phenomena. Springer, London. (2012). 284 p
D. Di Sante, P. Barone, R. Bertacco, S. Picozzi. Adv. Mater. 25, 4, 509 (2013)
M. Liebmann, C. Rinaldi, D. Di Sante, J. Kellner, C. Pauly, R.N. Wang, J.E. Boschker, A. Giussani, S. Bertoli, M. Cantoni, L. Baldrati, M. Asa, I. Vobornik, G. Panaccione, D. Marchenko, J. Sanchez-Barriga, O. Rader, R. Calarco, S. Picozzi, R. Bertacco, M. Morgenstern. Adv. Mater. 28, 3, 560 (2016)
L. Ponet, S. Artyukhin. Phys. Rev. B 98, 174102 (2018)
X. Yang, X.M. Li, Yang Li, Yan Li, R. Sun, J.N. Liu, X. Bai, N. Li, Z.K. Xie, L. Su, Z.Z. Gong, X.Q. Zhang, W. He, Z. Cheng. Nano Lett. 21, 1, 77 (2021)
H.J. Elmers, R. Wallauer, M. Liebmann, J. Kellner, M. Morgenstern, R.N. Wang, J.E. Boschker, R. Calarco, J. Sanchez-Barriga, O. Rader, D. Kutnyakhov, S.V. Chernov, K. Medjanik, C. Tusche, M. Ellguth, H. Volfova, St. Borek, J. Braun, J. Minar, H. Ebert, G. Schonhense. Phys. Rev. B 98, 201403(R) (2016)
J. Krempasky, H. Volfova, S. Muff, N. Pilet, G. Landolt, M. Radovic, M. Shi, D. Kriegner, V. Holy, J. Braun, H. Ebert, F. Bisti, V.A. Rogalev, V.N. Strocov, G. Springholz, J. Minar, J.H. Dil. Phys. Rev. B 94, 205111 (2016)
J.E. Boschker, R. Wang, R. Calarco. CrystEngComm. 19, 5324 (2017)
C.M. Acosta, A. Fazzio, G.M. Dalpian, A. Zunger, Phys. Rev. B 102, 144106 (2020)
А.К. Таганцев. ЖЭТФ 88, 2108 (1985)
А.К. Таганцев. УФН 152, 423 (1987)
A.K. Tagantsev. Phase Transit. 35, 119 (1991)
P. Zubko, G. Catalan, A.K. Tagantsev. Annu. Rev. Mater. Res. 43, 387 (2013)
P.V. Yudin, A.K. Tagantsev. Nanotechnology 24, 432001 (2013)
A.K. Tagantsev, P.V. Yudin. In: Flexoelectricity in solids: from theory to applications. / Eds. A.K. Tagantsev, P.V. Yudin. New Jersey: World Scientific. (2016). P. 1
B. Wanga, Y. Gua, S. Zhanga, L.-Q. Chen. Progr. Mat. Sci. 106, 100570 (2019)
Q. Deng, S. Lv, Z. Li, K. Tan, X. Liang, S. Shen. J. Appl. Phys. 128, 080902 (2020)
J. Ji, G. Yu, C. Xu, H.J. Xiang. Nat. Commun. 15, 135 (2024)
А.К. Звездин, А.А. Мухин. Письма в ЖЭТФ 89, 385 (2009)
А.И. Александров, И.А. Александров, В.Г. Шевченко. Письма в ЖЭТФ 104, 581 (2016)
V. Garcia, M. Bibes, Nature 483, 279 (2012)
F. Bernardini. In: Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation. Wiley-VCH, Berlin. (2007). part. 3, P. 49
H.Y. Hwang, Y. Iwasa, M. Kawasaki, B. Keimer, N. Nagaosa, Y. Tokura. Nat. Mater. 11, 103 (2012)
A.V. Kolobov, D.J. Kim, A. Giussani, P. Fons, J. Tominaga, R. Calarco, A. Gruverman. APL Mater. 2, 066101 (2014)
W.S. Gorsky. Phys. Zeitschr. Sowjet. 8, 457 (1935)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. Физматлит, М. (1992). 656 с
Р. Реста, Д. Вандербильт. В сб.: Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд. / Под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Ана, Ж.-М. 3-е издание, Бином, М. (2015). С. 43
R.D. King-Smith, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B 47, 1651(R) (1993)
R. Resta. Rev. Mod. Phys. 66, 899 (1994)
R. Resta, D. Vanderbilt. Physics of Ferroelectrics. Topics in Applied Physics. 105, Springer, Berlin, Heidelberg (2007)
М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир., М. (1981). 736 c
D. Vanderbilt. Berry Phases in Electronic Structure Theory. Cambridge, University Press. (2018). 384 p
D. Xiao, M.C. Chang, Q. Niu. Rev. Mod. Phys. 82, 3, 1959 (2010)
M.D. Segall, P.J.D. Lindan, M.J. Probert, C.J. Pickard, P.J. Hasnip, S.J. Clark, M.C. Payne. J. Phys: Cond. Matter. 14, 2717 (2002)
S.J. Clark, M.D. Segall, C.J. Pickard, P.J. Hasnip, M.J. Probert, K. Refson, M. Payne. Z. Kristallogr. Cryst. Mater. 220, 567 (2005)
J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke. Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008)
D.R. Hamann. Phys. Rev. B 88, 085117 (2013)
M. Schlipf, F. Gygi. Comp. Phys. Commun. 196, 36 (2015)
J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 18, 3865 (1996)
P. Fons, A.V. Kolobov, M. Krbal, J. Tominaga, K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G.A. Voyiatzis, T. Uruga. Phys. Rev.B 82, 15, 155209 (2010)
C. Rinaldi, J.C. Rojas-Sanchez, R.N. Wang, Y. Fu, S. Oyarzun, L. Vila, S. Bertoli, M. Asa, L. Baldrati, M. Cantoni, J.-M. George, R. Calarco, A. Fert, R. Bertacco. APL Mater. 4, 032501 (2016)
C. Rinaldi, S. Varotto, M. Asa, J. S awinska, J. Fujii, G. Vinai, S. Cecchi, D. Di Sante, R. Calarco, I. Vobornik, G. Panaccione, S. Picozzi, R. Bertacco. Nano Lett. 18, 5, 2751 (2018)
Y.H. Meng, W. Bai, H. Gao, S.J. Gong, J.Q. Wang, C.G. Duan, J.H. Chu. Nanoscale 9, 45, 17957 (2017).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель