Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование поверхности в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы методами сканирующей туннельной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии
Лукьянова Л.Н.
1, Макаренко И.В.
1, Самунин А.Ю.
1, Шабалдин А.А.
1, Усов О.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru, igor.makarenko@mail.ioffe.ru, berrior@rambler.ru, oleg.usov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 9 августа 2024 г.
Принята к печати: 16 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 17 декабря 2024 г.
В нанокомпозитных твердых растворах Bi0.45Sb1.55Te2.985 с микровключениями SiO2 и в наноструктурированных поликристаллических образцах Bi0.45Sb1.55Te2.985, полученных горячим прессованием, исследована морфология поверхности полуконтактным методом атомно-силовой микроскопии. Оптимизация количества и размеров зерен и нанофрагментов коррелирует с термоэлектрическими свойствами, при этом в нанокомпозите с меньшими размерами зерен и нанофрагментов термоэлектрическая эффективность возрастает по сравнению с поликристаллом. Методом сканирующей туннельной спектроскопии исследованы поверхностные состояния фермионов Дирака. Определены энергия точки Дирака, положение краев валентной зоны и зоны проводимости, энергия уровней дефектов, ширина запрещенной зоны и поверхностная концентрация фермионов для различных фрагментов поверхности в нанокомпозитах и наноструктурированных поликристаллах. Установлена корреляция между поверхностной концентрацией фермионов и термоэлектрическими свойствами. Ключевые слова: теллурид висмута, твердые растворы, нанокомпозиты, морфология поверхности, сканирующая туннельная спектроскопия, уровни дефектов.
- M.J. Gilbert. Commun. Phys. 4, 1, 70 (2021)
- J.P. Heremans, R.J. Cava, N. Samarth. Nat. Rev. Mater., 2, 10, 17049 (2017)
- B. Poudel, Q. Hao, Y. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, Science 320, 2, 634 (2008)
- A.J. Minnich, M.S. Dresselhaus, Z.F. Ren, G. Chen. Energy Environ. Sci. 2, 5, 466 (2009)
- J. Li, Q. Tan, J.-F. Li, D.-W. Liu, F. Li, Z.-Y. Li, M. Zou, K. Wang. Adv. Funct. Mater. 23, 35, 4317 (2013)
- W. Liu, Z. Ren, G. Chen. Thermoelectric Nanomaterials. Springer, Heidelberg (2013). P. 255
- T.H. Nguyen, J. Enju, T. Ono. J. Electrochem. Soc. 166, 12, D508 (2019)
- J. Zheng, Y. Kodera, X. Xu, S. Shin, K.M. Chung, T. Imai, R.V. Ihnfeldt, J.E. Garay, R.J. Chen. J. Appl. Phys. 130, 23, 235106 (2021)
- B. Xu, M.T. Agne, T. Feng, T.C. Chasapis, X. Ruan, Y. Zhou, H. Zheng, J.-H. Bahk, M.G. Kanatzidis, G.J. Snyder, Y. Wu. Adv. Mater. 29, 10, 1605140 (2017)
- E. Lee, J. Ko, J. Y. Kim, W.S. Seo, S.M. Choi, K.H. Lee, W. Shim, W. Lee. J. Mater. Chem. C 4, 6, 1313 (2016)
- S.Y. Matsushita, K. Ichimura, K.K. Huynh, K. Tanigaki. Phys. Rev. Mater. 5, 1, 014205 (2021)
- J.R. Szczech, J.M. Higgins, S. Jin. J. Mater. Chem. 21, 12, 4037 (2011)
- А.А. Шабалдин, П.П. Константинов, Д.А. Курдюков, Л.Н. Лукьянова, А.Ю. Самунин, Е.Ю. Стовпяга, А.Т. Бурков. ФТП 53, 6, 751 (2019). [A.A. Shabaldin, P.P. Konstantinov, D.A. Kurdyukov, L.N. Lukyanova, A.Yu. Samunin, E.Yu. Stovpiaga, A.T. Burkov. Semiconductors, 53, 6, 742 (2019)]
- Z. Alpichshev, J.G. Analytis, J.-H. Chu, I.R. Fisher, Y.L. Chen, Z.X. Shen, A. Fang, A. Kapitulnik. Phys. Rev. Lett. 104, 1, 016401 (2010)
- X. He, H. Li, L. Chen, K. Wu. Sci. Rep. 5, 1, 8830 (2015)
- T. Hanaguri, K. Igarashi, M. Kawamura, H. Takagi, T. Sasagawa. Phys. Rev. B 82, 8, 081305(R) (2010)
- H. Nam, Y. Xu, I. Miotkowski, J. Tian, Y.P. Chen, C. Liu, C.K. Shih. J. Phys. Chem. Solids 128, 251 (2019)
- K. Nomura, A.H. MacDonald. Phys. Rev. Lett. 98, 7, 076602 (2007)
- K. Nomura, M. Koshino, S. Ryu. Phys. Rev. Lett. 99, 14, 146806 (2007)
- L.N. Lukyanova, Y.A. Boikov, O.A. Usov, V.A. Danilov, I.V. Makarenko, V.N. Petrov. Magnetochemistry 9, 6, 141 (2023)
- Л.Н. Лукьянова, А.Ю. Бибик, В.А. Асеев, О.А. Усов, И.В. Макаренко, В.Н. Петров, Н.В. Никоноров, В.А. Кутасов. ФТТ 58, 7, 1390 (2016). [L.N. Lukyanova, A.Yu. Bibik, V.A. Aseev, O.A. Usov, I.V. Makarenko, V.N. Petrov, N.V. Nikonorov, V.A. Kutasov. Phys. Solid State, 58, 7, 1440 (2016)]
- M. Chen, J. Peng, H. Zhang, L. Wang, K. He, X. Ma, Q. Xue. Appl. Phys. Lett. 101, 8, 081603 (2012)
- C. Wagner, R. Franke, T. Fritz. Phys. Rev. B 75, 23, 235432 (2007)
- J.A. Stroscio, R.M. Feenstra. A.P. Fein. Phys. Rev. Lett. 57, 20, 2579 (1986)
- J. Zhang, C.-Z. Chang, Z. Zhang, J. Wen, X. Feng, K. Li, M. Liu, K. He, L. Wang, X. Chen, Q.-K. Xue, X. Ma, Y. Wang. Nat. Commun. 2, 1, 574 (2011)
- L.N. Lukyanova, I.V. Makarenko, O.A. Usov, P.A. Dementev. Semicond. Sci. Technol. 33, 5, 055001 (2018)
- Л.Н. Лукьянова, А.А. Шабалдин, А.Ю. Самунин, О.А. Усов. ФТП 55, 12, 1124 (2021). [L.N. Lukyanova, A.A. Shabaldin, A.Yu. Samunin, O.A. Usov. Semiconductors 56, 1, 10 (2022)]
- Л.Н. Лукьянова, Ю.А. Бойков, О.А. Усов, В.А. Данилов. ФТП, 51, 6, 726 (2017). [L.N. Lukyanova, Yu.A. Boikov, O.A. Usov, V.A. Danilov. Semiconductors 51, 6, 692 (2017)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
