Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
Российский научный фонд, Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами», 23-29-00312
Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Дудин Ю.А.1, Здоровейщев А.В.1, Калентьева И.Л.1, Кудрин А.В.1, Крюков Р.Н.1, Нежданов А.В.1, Парафин А.Е.2, Таперо М.К.3,4, Темирязева М.П.5, Темирязев А.Г.5, Яковлева А.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
4Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
5Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 28 октября 2024 г.
Рассмотрено получение ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией и тремя типами отжига: быстрый термический, импульсный лазерный и комбинированный отжиг (сочетание быстрого термического и импульсного лазерного отжига). Быстрый термический отжиг способствовал улучшению кристалличности и формированию включений (в том числе и ферромагнитных при комнатной температуре), а последующее воздействие лазерного излучения приводило к их модифицированию. При исследовании структурных, гальваномагнитных и магнитооптических свойств обнаружено формирование в слоях GaMnAs двух ферромагнитных фаз, отличающихся температурой Кюри. Ключевые слова: ионное легирование, быстрый термический отжиг, импульсный лазерный отжиг, двухфазный ферромагнитный полупроводник.
- T. Dietl. Semicond. Sci. Technol. 17, 4, 377 (2002)
- L. Chen, S. Yan, P.F. Xu, J. Lu, W.Z. Wang, J.J. Deng, X. Qian, Y. Ji, J.H. Zhao. Appl. Phys. Lett. 95, 18, 182505 (2009)
- Ю.А. Данилов, А.В. Круглов, Е.А. Питиримова, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, М. Бехар, М.А.А. Пудензи. Изв. РАН. Сер. физ. 68, 1, 65 (2004)
- O.D.D. Couto Jr, M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa, C. Giles, C. Adriano, J.R.R. Bortoleto, M.A.A. Pudenzi, H.R. Gutierrez, I. Danilov. Appl. Phys. Lett. 86, 7, 071906 (2005)
- M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, K.M. Yu, O. Monteiro, M.R. Pillai, M.J. Aziz, M.C. Ridgway. Appl. Phys. Lett. 82, 8, 1251 (2003)
- S. Zhou. J. Phys. D 48, 26, 263001 (2015)
- A.I. Ryabchikov, S.V. Dektjarev, I.B. Stepanov. Rev. Sci. Instrum. 65, 10, 3126 (1994)
- I.G. Brown, X. Godechot. IEEE Trans. Plasma Sci. 19, 5, 713 (1991)
- Электронный ресурс: https://www.gatan.com/products/tem-analysis/gatan-microscopy-suite-software
- Электронный ресурс: https://www.iucr.org/resources/other-directories/software/ptclab
- Электронный ресурс: http://www.crystallography.net
- T.E. Sukhanova, M.P. Temiryazeva, M.E. Vylegzhanina, S.V. Valueva, A.Ya. Volkov, A.A. Kutin, A.G. Temiryazev. AIP Conf. Proceed. 1748, 1, 020003 (2016)
- С.К. Кузнецова. Неорг. матер. 11, 5, 950 (1975)
- M. Wu, E. Luna, J. Puustinen, M. Guina, A. Trampert. Nanotechnol. 25, 20, 205605 (2014)
- A. Maltsi, T. Niermann, T. Streckenbach, K. Tabelow, T. Koprucki. Opt. Quant. Electron. 52, 257 (2020)
- M. Moreno, A. Trampert, B. Jenichen, L. Daweritz, K.H. Ploog. J. Appl. Phys. 92, 8, 4672 (2002)
- W.G. Opyd, J.F. Gibbons, A.J. Mardinly. Appl. Phys. Lett. 53, 16, 1515 (1988)
- W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Koeder, D. Klarer, W. Schoch, K. Thonke, R. Sauer, A. Waag. Phys. Rev. B 66, 20, 205209 (2002)
- M.J. Seong, S.H. Chun, H.M. Cheong, N. Samarth, A. Mascarenhas. Phys. Rev. B 66, 3, 033202 (2002)
- Ю.А. Данилов, Ю.А. Агафонов, В.И. Бачурин, В.А. Быков, О.В. Вихрова, В.И. Зиненко, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, С.Г. Симакин, П.А. Юнин, А.А. Яковлева. ФТТ 65, 12, 2230 (2023). [Yu.A. Danilov, Yu.A. Agafonov, V.I. Bachurin, V.A. Bykov, O.V. Vikhrova, V.I. Zinenko, I.L. Kalentyeva, A.V. Kudrin, A.V. Nezhdanov, A.E. Parafin, S.G. Simakin, P.A. Yunin, A.A. Yakovleva. Phys. Solid State 65, 12, 2138 (2023).]
- M.A. Scarpulla, R. Farshchi, P.R. Stone, R.V. Chopdekar, K.M. Yu, Y. Suzuki, O.D. Dubon. J. Appl. Phys. 103, 7, 073913 (2008)
- А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов. Письма в ЖТФ 36, 11, 46 (2010). [A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov. Tech. Phys. Lett. 36, 6, 511 (2010).]
- K.Y. Wang, K.W. Edmonds, R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B 72, 8, 085201 (2005)
- K. Ando, H. Saito, K.C. Agarwal, M.C. Debnath, V. Zayets. Phys. Rev. Lett. 100, 6, 067204 (2008)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
- W. Limmer, M. Glunk, W. Schoch, A. Koder, R. Kling, R. Sauer, A. Waag. Physica E 13, 2--4, 589 (2002)
- A. Arrott. Phys. Rev. 108, 6, 1394 (1957)
- A.V. Kudrin, A.V. Shvetsov, Yu.A. Danilov, A.A. Timopheev, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, N.A. Sobolev. Phys. Rev. B 90, 2, 024415 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
