Исследование токов, ограниченных объемным зарядом в слоях β-ZnP2 дырочной проводимости
Воронов А.В.1, Стамов И.Г.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Физико-технический институт Тирасполь, Молдова
Email: istamov51@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 25 июня 2024 г.
Принята к печати: 25 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 5 августа 2024 г.
Представлены результаты исследования токов ограниченных пространственными зарядами в тонких слоях β-ZnP2 при освещении светом из области фундаментального поглощения. Показано, что на границе кристалла развиваются электрические поля достаточные для образования микроплазм и разрушения кристалла. При освещении катода напряженность электрического поля падает вплоть до нулевых значений. Моделирование явлений переноса заряда показывает, что удовлетворительное совпадение эксперимента с теорией достигается при учете рекомбинационного донорного уровня в запрещенной зоне полупроводника. Ключевые слова: дифосфид цинка, тонкие пленки, вольт-амперные характеристики, спектры экситонного отражения.
- T. Mowles. High efficiency solar photovoltaic cells produced with inexpensive materials by processes suitable for large volume production. Patent No.: US 6,541,695 В1, (2003)
- С.И. Радауцан, Н.Н. Сырбу, И.Г. Стамов. Докл. АН СССР 236, 1, 72 (1977)
- Н.Н. Сырбу, И.Г. Стамов. ФТП 25, 2115 (1991)
- Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ЖТФ 79, 11, 36 (2009)
- И.Г. Стамов, Д.В. Ткаченко. ФТТ 64, 1, 74 (2022)
- С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Изд. А.Н. Вараксин, Минск (2010). 224 с
- А.Б. Певцов, С.А. Пермогоров, А.В. Селькин, Н.Н. Сырбу, А.Г. Уманец. ФТП 16, 8, 1399 (1982)
- И.Г. Стамов, Д.В. Ткаченко. ФТП 42, 6, 679 (2008)
- И.Г. Стамов, Д.В. Ткаченко. ФТП 40, 10, 1196 (2006)
- А. Игитян, Н. Агамалян, Р. Овсепян, С. Петросян, Г. Бадалян, И. Гамбарян, А. Папикян, Е. Кафадарян. ФТП 54, 2, 117 (2020)
- А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко. ЖТФ 89, 11, 1795 (2019)
- V.A. Voronkovskii, V.S. Aliev, A.K. Gerasimova, D.R. Islamov. Mater. Res. Express. 6, 7, 076411 (2019)
- Ю.Г. Нуруллаев, Э.С. Гараев, Н.Ф. Гахраманов. Молодой ученый 41, 488, 3 (2023). [URL: https://moluch.ru/archive/488/106647/]
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, M. (1973)
- Т.Ю. Мусабеков, В.Б. Сандомирский. Динамическая вольтамперная характеристика диэлектрического диода с ловушками. В сб.: "Вопросы пленочной электроники". Изд-во "Сов. радио", М. (1966). C. 288-323
- С.О. Романовский, А.В. Селькин, И.Г. Стамов, ФТТ 40, 5, 884 (1998)
- А.Б. Новиков, Б.В. Новиков, Г. Роппишер, А.В. Селькин, А.Е.Н. Штайн, Р.Б. Юферев, Ю.А. Бумай. ФТТ 40, 5, 879 (1998)
- R.J. Dumburg, V.V. Kolosov. J. Phys. B 9, 18, 3149 (1976)
- C. Kittel. Introduction to Solid State Physics. 7th ed. Wiley (1996)
- Chih-Tang Sah. Fundamentals of Solid-State Electronics. World Scientific (1991). P. 404
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. --- 2-е переработ. и доп. изд. Мир, М. (1984). 456 с
- S. Taguchi, T. Goto, M. Takeda, G. Kido. J. Phys. Soc. Jpn. 57, 9, 3256 (1988)
- I.J. Hegyi, E.E. Loebner, E.W. Poor, Jr., J.G. White. J. Phys. Chem. Solids. 24, 333 (1963)
- A. Rose. Phys. Rev. 97, 1538 (1955)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук