Вышедшие номера
Люминесценция вольфрамового комплекса в полученных методом химического газофазного осаждения алмазных частицах
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, State Government Program, FFUG-2024-0017
Грудинкин С.А. 1, Богданов К.В. 2, Баранов М.А.2, Баранов А.В. 2, Голубев В.Г. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Международный научно-образовательный центр физики наноструктур, Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: grudink.gvg@mail.ioffe.ru, kirw.bog@gmail.com, mbaranov@mail.ru, a_v_baranov@yahoo.com, golubev@gvg.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 26 июня 2024 г.
Принята к печати: 27 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 5 августа 2024 г.

Методом химического газофазного осаждения с горячей вольфрамовой спиралью на подложке германия синтезированы алмазные нано- и микрочастицы, в спектрах фотолюминесценции которых наблюдались интенсивные полосы оптически активного комплекса, содержащего вольфрам. Исследовано влияние температуры подложки на интенсивность люминесценции вольфрам-содержащего комплекса и структурные свойства полученных алмазных частиц. Путем размещения вольфрамовой спирали под углом к плоскости подложки создавался градиент параметров роста вдоль поверхности подложки. Показано влияние одновременно изменяющихся в зависимости от расстояния спираль-подложка параметров роста на интенсивность люминесценции W-комплекса, скорость роста алмазных частиц, а также на их структурные свойства и фазовый состав. Ключевые слова: алмаз, оптически активные дефекты, фотолюминесценция, комбинационное рассеяние света.
  1. I. Aharonovich, E. Neu. Adv. Opt. Mater. 2, 10, 911 (2014)
  2. C. Bradac, W. Gao, J. Forneris, M.E. Trusheim, I. Aharonovich. Nature Commun. 10, 1, 5625 (2019)
  3. N. Nunn, M.D. Torelli, A. Ajoy, A.I. Smirnov, O. Shenderova. Rev. Adv. Chem. 12, 1, 1 (2022)
  4. D. Chen, N. Zheludev, W.-B. Gao. Adv. Quantum Technol. 3, 2, 1900069 (2020)
  5. O.A. Shenderova, A.I. Shames, N.A. Nunn, M.D. Torelli, I. Vlasov, A. Zaitsev. J. Vac. Sci. Technol. B 37, 3, 030802 (2019)
  6. Y.-T. Chuang, S.-D. Chen, W.-C. Huang, T.-L. Shen, M.-S. Chang, Y.-F. Chen, Y.-P. Hsieh, Y.-H. Chang. ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 43, 49006 (2020)
  7. A. Mzyk, Y. Ong, A.R. Ortiz Moreno, S.K. Padamati, Y. Zhang, C.A. Reyes-San-Martin, R. Schirhagl. Anal. Chem. 94, 1, 225 (2021)
  8. W. Liu, M.N.A. Alam, Y. Liu, V.N. Agafonov, H. Qi, K. Koynov, V.A. Davydov, R. Uzbekov, U. Kaiser, T. Lasser, F. Jelezko, A. Ermakova, T. Weil. Nano Lett. 22, 7, 2881 (2022)
  9. S. Lal, S. Liu, S. Gangopadhyay, M.S. Haque, H.A. Naseem. Appl. Phys. Lett. 71, 25, 3640 (1997)
  10. F. Anderson, T. Dallas, S. Lal, S. Gangopadhyay, M. Holtz. Solid State Commun. 102, 12, 867 (1997)
  11. K. Beha, H. Fedder, M. Wolfer, M.C. Becker, P. Siyushev, M. Jamali, A. Batalov, C. Hinz, J. Hees, L. Kirste, H. Obloh, E. Gheeraert, B. Naydenov, I. Jakobi, F. Dolde, S. Pezzagna, D. Twittchen, M. Markham, D. Dregely, H. Giessen, J. Meijer, F. Jelezko, C.E. Nebel, R. Bratschitsch, A. Leitenstorfer, J. Wrachtrup. Beilstein J. Nanotechnol. 3, 895 (2012)
  12. J.W. Steeds, N.C. Burton, A.R. Lang, D. Pickard, Yu.G. Shreter, J.E. Butler. Solid State Phenom. 51-52, 271 (1996)
  13. K.V. Bogdanov, I.E. Kaliya, M.A. Baranov, S.A. Grudinkin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, A.V. Baranov. Mater. 15, 23, 8510 (2022)
  14. S.J. Harris, A.M. Weiner, S. Prawer, K. Nugent. J. Appl. Phys. 80, 4, 2187 (1996)
  15. S. Lal, T. Dallas, S. Yi, S. Gangopadhyay, M. Holtz, F.G. Anderson. Phys. Rev. B 54, 19, 13428 (1996)
  16. S. Ohmagari, H. Yamada, H. Umezawa, A. Chayahara, T. Teraji, S.-I. Shikata. Diam. Relat. Mater. 48, 19 (2014)
  17. Н.А. Феоктистов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.А. Толмачев, И.В. Коркин, А.Е. Алексенский, А.Я. Вуль, В.Г. Голубев. ЖТФ 81, 5, 132 (2011). [N.A. Feoktistov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, V.A. Tolmachev, I.V. Korkin, A.E. Aleksenskii, A.Ya. Vul', V.G. Golubev. Tech. Phys. 56, 5, 718 (2011)]
  18. S. Prawer, R.J. Nemanich. Phil. Trans. R. Soc. A 362, 1824, 2537 (2004)
  19. A. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B 63, 12, 121405(R) (2001)
  20. E. Ekimov, A.A. Shiryaev, Y. Grigoriev, A. Averin, E. Shagieva, S. Stehlik, M. Kondrin. Nanomater. 12, 3, 351 (2022)
  21. D.-W. Kweon, J.-Y. Lee, D. Kim. J. Appl. Phys. 69, 12, 8329 (1991)
  22. L. Bergman, M.T. McClure, J. Glass, R. Nemanich. J. Appl. Phys. 76, 5, 3020 (1994)
  23. S. Rahman, M. Othman, P. May. Adv. Mater. Res. 501, 271 (2012)
  24. K. Fabisiak, W. Bala, K. Paprocki, M. Szreiber, C. Uniszkiewicz. Opt. Mater. 31, 12, 1873 (2009)
  25. С.А. Грудинкин, Н.А. Феоктистов, К.В. Богданов, А.В. Баранов, В.Г. Голубев. ФТТ 62, 5, 807 (2020). [S.A. Grudinkin, N.A. Feoktistov, K.V. Bogdanov, A.V. Baranov, V.G. Golubev. Phys. Solid State 62, 5, 919 (2020)]
  26. X. Chang, X. Yan, S. Fan, J. Su, Y.-F. Wang, R. Wang, G. Chen, J. Wang, W. Wang, H.-X. Wang. IEEE Trans. Electron Devices 68, 12, 6228 (2021)
  27. L. Tang, R. Yue, Y. Wang. Carbon 130, 458 (2018)
  28. S. Ohmagari, H. Yamada, N. Tsubouchi, H. Umezawa, A. Chayahara, S. Tanaka, Y. Mokuno. Appl. Phys. Lett. 113, 3, 032108 (2018)
  29. Yu.A. Mankelevich, N.V. Suetin, M.N.R. Ashfold, J.A. Smith, E. Cameron. Diam. Relat. Mater. 10, 3-7, 364 (2001)
  30. J.A. Smith, M.A. Cook, S.R. Langford, S.A. Redman, M.N.R. Ashfold. Thin Solid Films 368, 2, 169 (2000)
  31. Q. Wei, M.N.R. Ashfold, Yu.A. Mankelevich, Z.M. Yu, P.Z. Liu, L. Ma. Diam. Relat. Mater. 20, 5-6, 641 (2011)
  32. V. Sedov, A. Martyanov, A. Altakhov, S. Savin, E. Dobretsova, I. Tiazhelov, D. Pasternak, I. Kaplunov, V. Rogalin, V. Ralchenko. J. Russ. Laser Res. 43, 4, 503 (2022).