Вышедшие номера
Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии
Орлов Л.К.1,2, Штейнман Э.А.3, Смыслова Т.Н.1, Ивина Н.Л.1, Терещенко А.Н.3
1Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: orlov@imp.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 19 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Рассматриваются механизмы и особенности роста слоев карбида кремния в методе вакуумной химической эпитаксии в интервале ростовых температур от 1000 до 700oC. На основании проведенных исследований спектров фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн и данных масс-спектрометрического анализа изучена структура формируемого гетероперехода. Обнаружено значительное возрастание концентрации точечных дефектов и отсутствие выраженной дислокационной структуры в слое кремния, прилегающего к гетеропереходу 3С-SiC/Si. По данным морфологических исследований поверхности растущей пленки по аналогии с теорией термического окисления кремния построена теория карбидизации поверхностных слоев кремния. Отличительной особенностью рассмотренной модели является включение в нее встречных, от подложки к поверхности структуры, диффузионных потоков атомов кремния. Проведены оценки скорости роста пленок и энергии активации диффузионных процессов. Проведенные эксперименты в совокупности с разработанной моделью роста, объясняют наблюдаемые на практике образования пустот под формируемым карбидным слоем в матрице кремния и возможность формирования развитой морфологии поверхности (островковый рост пленки) даже в условиях использования в реакторе только одного потока углеводорода. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 08-02-97017p-поволжье и ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2012 гг.
  1. K.H. Wu, Y.K. Fang, J.J. Ho, W.T. Hsieh, T.J. Chen. Electron. Device Lett. IEEE, 19, 294 (1998)
  2. W.T. Hsieh, Y.K. Fand, W.J. Lee, C.W. Ho, K.H. Wu, J.J. Ho, J.D. Hwang. Electron. Lett. 36, 86 (2000)
  3. M.J. Kumar, C.L. Reddy. Microelectr. Reliability, 43, 1145 (2003)
  4. T. Sugii, T. Ito, Y. Furumura, M. Doki, F. Mieno, M. Maeda. Electron. Device Lett. IEEE 9, 87 (1988)
  5. K.J. Roe, G. Katulka, J. Kolodzey, S.E. Saddow, D. Jacobson. Appl. Phys. Lett. 78, 2073 (2001)
  6. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Шамшур, Г.А. Оганесян, С.П. Лебедев, М.Г. Мымбаева, А.В. Садохин. ФТП 44, 1436 (2010)
  7. F.M. Morales, S.I. Molina, D. Araujo, R. Carcia, V. Cimalla, J. Pezoldt. Diamond Related Mater. 12, 1227 (2003)
  8. Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Вдовин, Ю.И. Тарасова, Т.Н. Смыслова. ФТТ, 51, 1018 (2009)
  9. Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, О.А. Подъячева, В.И. Вдовин. ЖСХ, 51, S148 (2010)
  10. Л.К. Орлов, Э.А. Штейнман, Н.Л. Ивина, В.И. Вдовин. ФТТ 53, 1706 (2011)
  11. Yu. Narita, T. Inubushi, M. Harashima, K. Yasui, T. Akahane. Appl. Surf. Sci. 216, 575 (2003)
  12. Ch. Zgheib, L.E. Mc Neil, P. Masri, Ch. Firster, F.M. Morales, Th. Stauden, O. Ambacher, J. Pezold. Appl. Phys. Lett. 88, 211 909 (2006)
  13. H. Nakazawa, M. Suemitsu. Appl. Phys. Lett. 79, 755 (2001)
  14. H. Nakazawa, K. Yagi. Phys. Stat. Sol. 202, 335 (1997)
  15. T.G. Yugova, V.I. Vdovin, M.G. Milvidskii, L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, N.V. Abrosimov. Thin Solid Films 336, 112 (1999)
  16. В.И. Вдовин, О.А. Кузнецов, М.Г. Мильвидский, Л.К. Орлов, Т.Г. Югова. Кристаллография 38, 269 (1993)
  17. Н.А. Конева, Н.А. Попова, Э.В. Козлов. Тр. 13 Междунар. Симп. "Упорядочение в минералах и сплавах", Ростов н/Д (2010). Т. 2. С. 20
  18. L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.A. Steinman, V.I. Vdovin. Solid State Phenomena, 69-70, 377 (1999)
  19. B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965)
  20. Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, Ю.И. Тарасова, Т.Н. Смыслова, Н.А. Алябина, Е.А. Питиримова, В.И. Вдовин. Изв. РАН. Cep. физ. 73, 1034 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.