Вышедшие номера
Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt
Russian science foundation, 21-79-20186
Малышева Е.И.1, Дёмина П.Б.1, Ведь М.В.1, Дорохин М.В.1, Здоровейщев А.В.1, Кудрин А.В.1, Байдусь Н.В.1, Трушин В.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: Malysheva@phys.unn.ru, demina@phys.unn.ru, ved@nifti.unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, zdorovei@gmail.com, alex2983@yandex.ru, bnv@nifti.unn.ru, trushin@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2023 г.
Принята к печати: 14 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 14 февраля 2024 г.

Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs и ферромагнитных контактов, представляющих собой сплав CoPtx, где состав варьировался в пределах (1≤ x≤ 2.5). Показано, что варьирование состава ферромагнитного контакта обеспечивает управление видом магнитополевой зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесцентного излучения. Исследования показали, что управление осуществляется за счет модуляции магнитных характеристик пленок при варьировании состава. Полученный результат показывает возможность контроля с помощью магнитного поля переключения намагниченности контактов спинового светоизлучающего диода, что представляется полезным с практической точки зрения. Ключевые слова: магнитные тонкие пленки, спиновая инжекция, спиновые светодиоды, полупроводники AIIIBV.
  1. M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D 40, R179 (2007)
  2. Оптическая ориентация / Под. ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера. Наука, Л. (1989)
  3. А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус. ФТП 10, 6, 1177 (1976)
  4. М.В. Дорохин, М.В. Ведь, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, А.В. Рыков, Ю.М. Кузнецов. ФТТ 59, 11, 2135 (2017)
  5. М.В. Дорохин, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, С.В. Зайцев, А.В. Кудрин. ЖТФ 92, 5, 724 (2022)
  6. S. Goel, N.H.D. Khang, Y. Osada, L.D. Anh, P.N. Hai, M. Tanaka. Sci. Rep. 13, 2181 (2023)
  7. G. Salis, R. Wang, X. Jiang, R.M. Shelby, S.S.P. Parkin, S.R. Bank, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett. 87, 262503 (2005)
  8. Zhenhao Sun, Ning Tang, Shixiong Zhang, Shuaiyu Chen, Xingchen Liu, Bo Shen. Adv. Phys. X 8, 1, 2158757 (2023)
  9. M. Mustaqeem, P.T. Chou, S. Kamal, N. Ahmad, J.-Y. Lin, Y.-J. Lu, X.-H. Lee, K.-H. Lin, K.-L. Lu, Y.-F. Chen. Adv. Func. Mater 33, 19, 213587 (2023)
  10. S.H. Liang, T.T. Zhang, P. Barate, J. Frougier, M. Vidal, P. Renucci, B. Xu, H. Jaffres, J.-M. George, X. Devaux, M. Hehn, X. Marie, S. Mangin, H.X. Yang, A. Hallal, M. Chshiev, T. Amand, H.F. Liu, D.P. Liu, X.F. Han, Z.G. Wang, Y. Lu. Phys. Rev. B 90, 085310 (2014)
  11. S. Mooser, J.F.K. Cooper, K.K. Banger, J. Wunderlich, H. Sirringhaus. Phys. Rev. B 85, 235202 (2012)
  12. M.V. Dorokhin, A.V. Zdoroveyshchev, M.P. Temiryazeva, A.G. Temiryazev, P.B. Demina, O.V. Vikhrova, A.V. Kudrin, I.L. Kalentyeva, M.V. Ved, A.N. Orlova, V.N. Trushin, A.V. Sadovnikov, D.A. Tatarskiy. J. Alloys Compd. 926, 166956 (2022)
  13. М.В. Дорохин, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, Д.А. Здоровейщев, А.Г. Темирязев, М.П. Темирязева, И.Л. Калентьева, В.Н. Трушин. ФТТ 65, 6, 989 (2023)
  14. I.H. Cha, T. Kim, Y.J. Kim, G.W. Kim, Y.K. Kim. J. Alloys Compd. 823, 153744 (2020)
  15. J.C.A Huang, T.H W, A.C Hsu, L.C Wu, Y.M Hu. J. Magn. Magn. Mater. 193, 1-3, 166 (1999)
  16. Concepts in spin electronics / Ed. S. Maekawa. Oxford University Press, N. Y. (2006)
  17. М.В. Дорохин. Док. дис. Национальный исследовательский Нижегородский гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород (2016)
  18. T. Amand, B.Dareys, B.Baylac, X. Marie, J. Barrau, M. Brousseau. Phys. Rev. B 50, 16, 11624 (1994)