Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Приповерхностное возбуждение нестационарной фотоэдс в кристалле PbNi_1/3Nb_2/3O₃

Брюшинин М.А.

¹, Соколов И.А.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mb@mail.ioffe.ru, i.a.sokolov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 27 сентября 2023 г.

В окончательной редакции: 27 сентября 2023 г.

Принята к печати: 30 ноября 2023 г.

Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Релаксорный сегнетоэлектрик PbNi_1/3Nb_2/3O₃ исследуется методом нестационарной фотоэдс на длине волны света λ=457 nm. Данная длина волны соответствует краю поглощения света кристаллом, приводя к приповерхностной диффузионной записи зарядовых решеток и соответствующему приповерхностному возбуждению сигнала нестационарной фотоэдс. Амплитуда сигнала зависит от частоты фазовой модуляции света, интенсивности и пространственной частоты интерференционной картины. Путем анализа данных зависимостей оцениваются фотоэлектрические параметры кристалла - тип, величина и время релаксации фотопроводимости, а также диффузионная длина носителей заряда. Ключевые слова: нестационарная фотоэдс, фотопроводимость, релаксорный сегнетоэлектрик.

В.А. Боков, И.Е. Мыльникова. ФТТ 3, 3, 841 (1961)
R.A. Cowley, S.N. Gvasaliya, S.G. Lushnikov, B. Roessli, G.M. Rotaru. Adv. Phys. 60, 2, 229 (2011)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. (1963). 496 с
М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. Наука, СПб. (1992). 320 с
I.A. Sokolov, M.A. Bryushinin. Optically induced space-charge gratings in wide-bandgap semiconductors: techniques and applications. Nova Science Publishers, Inc., N. Y. (2017). 229 p
M.A. Bryushinin, V.G. Zalesskii, A.D. Polushina, V.V. Kulikov, A.A. Petrov, S.G. Lushnikov, I.A. Sokolov. J. Opt. Soc. Am. B 38, 7, 2059 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель