Вышедшие номера
Влияние частоты поля при плазмохимическом осаждении на структуру и свойства кремний-углеродных покрытий
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 22-29-00864
Попов А.И. 1, Баринов А.Д. 1, Едельбекова П.А.2, Емец В.М. 1, Мирошникова И.Н. 1, Чуканова Т.С.1
1Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: popovai2009@gmail.com, barinovad@mpei.ru, polinaedel51@gmail.com, vyemets@mail.ru, miroshnicovain@mpei.ru, danetch@inbox.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 16 ноября 2023 г.
Принята к печати: 27 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.

Проведены исследования электрофизических, механических свойств, морфологии поверхности и структуры кремний-углеродных покрытий, изготовленных плазмохимическим осаждением кремнийорганического прекурсора при разных частотах аксиального электрического поля. Показано, что причиной изменений исследованных характеристик покрытий при вариации частоты поля является изменение соотношения концентраций атомов углерода с различной гибридизацией электронных орбиталей. Зависимости всех исследованных характеристик от частоты поля имеют два различных по характеру участка. При частотах от 0.1 до 1.0 MHz наблюдаются значительные и немонотонные изменения свойств покрытий при изменении частоты электрического поля. При частотах более 1.0 MHz свойства получаемых покрытий практически не зависят от частоты. На базе совместного анализа результатов исследований физических свойств и рамановской спектроскопии предложена модель эволюции структуры покрытий с изменением частоты поля при их осаждении. Ключевые слова: кремний-углеродные покрытия, химический состав, фазовый состав, электропроводимость, модуль упругости, рамановские спектры, атомы углерода, гибридизация электронных орбиталей.
  1. A. Popov. Disordered Semiconductors: Physics and Applications. 2d ed. Pan Stanford Publ. (2018). 327 p
  2. А.Д. Баринов, А.И. Попов, М.Ю. Пресняков. Неорган. материалы 53, 706 (2017)
  3. А.И. Попов, В.П. Афанасьев, А.Д. Баринов, Ю.Н. Бодиско, А.С. Грязев, И.Н. Мирошникова, М.Ю. Пресняков, М.Л. Шупегин. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. N 9. 49 (2019)
  4. А.С. Гренадеров, А.А. Соловьев, К.В. Оскомов, М.О. Жульков. ЖТФ 91, 1286 (2021)
  5. А.И. Попов, А.Д. Баринов, В.М. Емец, Т.С. Чуканова, М.Л. Шупегин. ФТТ 62, 1612 (2020)
  6. E.V. Zavedeev, O.S. Zilova, A.D. Barinov. Diamond Rel. Mater. 74, 45 (2017)
  7. А.А. Шерченков. Материалы электронной техники 1, 48 (2003)
  8. T. Yamaguchi, N. Sakamoto, H. Tagashira. J. Appl. Phys. 83, 554 (1998)
  9. M. Shimozuma, K. Kitamori, H. Ohno, H. Hasegawa, H.J. Tagashira. Electron. Mater. 14, 573 (1985)
  10. Одномерные параметры шероховатости [Электронный ресурс] / Руководство пользователя Gwyddion. Режим доступа: http://gwyddion.net/documentation/user-guide-ru/roughness-iso.html
  11. С.Г. Лакеев, П.И. Мисуркин, Ю.С. Поляков, С.Ф. Тимашев. Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. Сб. науч. тр. МЭИ, М. (2011). С. 5
  12. A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B 61, 14095 (2000)
  13. A.S. Grenadyorov, А.А. Solovyev, V.O. Oskirko, K.V. Oskomov, V.A. Semenov, V.S. Sypchenko, A.A. Saraev. Vacuum. 219, part A. 112706 (2024)
  14. V. Uskokovic. Carbon Trends 5, 100116 (2021)
  15. Т.Г. Шумилова. Алмаз, графит, карбин, фуллерен и другие модификации углерода. УрО РАН, Екатеринбург (2002). 88 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.