Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2023, выпуск 12 » Статья стр. 2309
<<<>>>
Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb
DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56859.263
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 22-22-20105
Санкт-Петербургский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 25/2022
Снигирев Л.А. 1, Мясоедов А.В. 1, Берт Н.А. 1, Преображенский В.В. 2, Путято М.А. 2, Семягин Б.Р. 2, Чалдышев В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: leonidsnigirev17@gmail.com, amyasoedov88@gmail.com, nikolay.bert@mail.ioffe.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 24 ноября 2023 г.
Принята к печати: 24 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.
PDF версия
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано структурное состояние преципитатов AsSb, формирующихся в результате отжига эпитаксиального слоя нестехиометрического GaAs0.97Sb0.03, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs (001) при температуре 150oC. Обнаружены новые ориентационные соотношения между преципитатами AsSb с ромбоэдрической решеткой и матрицей LT-GaAsSb, подвергнутой изотермическому отжигу при температурах ниже 800oС в течение 15 min: 1012p||111m и <2201>||<110>m. Эти ориентационные соотношения отличаются от известных для преципитатов As (0003)p||111m; <1210>p||<110>m и реализуются для частиц размером менее ~10 nm. Для частиц размером менее ~7 nm результаты электронной микроскопии позволяют предположить переход к кубической фазе Pm3m. Ключевые слова: нестехиометрический GaAsSb, преципитация, просвечивающая электронная микроскопия, ориентационные соотношения.
  1. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Annu. Rev. Mater. Sci. 25, 1, 547 (1995). doi: 10.1146/annurev.ms.25.080195.002555
  2. L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev. Russ. Phys. J. 45, 8, 735 (2002). doi: 10.1023/A:1021965211576/METRICS
  3. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett. 67, 2, 279 (1995). doi: 10.1063/1.114782
  4. M.R. Melloch, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren, J.L. Freeouf. Appl. Phys. Lett. 57, 15, 1531 (1990). doi: 10.1063/1.103343
  5. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев. ФТТ 35, 10, 2609 (1993)
  6. I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett. 83, 20, 4199 (2003). doi: 10.1063/1.1628389
  7. A.A. Pastor, U.V. Prokhorova, P.Y. Serdobintsev, V.V. Chaldyshev, M.A. Yagovkina. Semiconductors 47, 8, 1137 (2013). doi: 10.1134/S1063782613080150/METRICS
  8. H. Tanoto, J.H. Teng, Q.Y. Wu, M. Sun, Z.N. Chen, S.A. Maier, B. Wang, C.C. Chum, G.Y. Si, A.J. Danner, S.J. Chua. Nat. Photonics 6, 2, 121 (2012). doi: 10.1038/nphoton.2011.322
  9. R. Jiang, S. Cheng, Q. Li, Q. Wang, Y. Xin. Laser Phys. 31, 3, 036203, (2021). doi: 10.1088/1555-6611/ABD935
  10. M. Currie. In: Photodetectors: Materials, Devices and Applications. Woodhead Publishing (2016). P. 121-155. doi: 10.1016/B978-1-78242-445-1.00005-1
  11. C. Tannoury, M. Billet, C. Coinon, J.F. Lampin, E. Peytavit. Electron. Lett. 56, 17, 897 (2020). doi: 10.1049/EL.2020.1116
  12. A. Claverie, Z. Liliental-Weber. Phil. Mag. A Phys. Condens. Matter, Struct. Defects Mech. Prop. 65, 4, 981 (1992). doi: 10.1080/01418619208205601
  13. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett. 74, 11, 1588 (1999). doi: 10.1063/1.123625
  14. J. Sigmund, C. Sydlo, H.L. Hartnagel, N. Benker, H. Fuess, F. Rutz, T. Kleine-Ostmann, M. Koch. Appl. Phys. Lett. 87, 25, 1 (2005). doi: 10.1063/1.2149977
  15. J. Sigmund, D. Pavlidis, H.L. Hartnagel, N. Benker, H. Fuess. J. Vac. Sci. Technol. B 24, 3, 1556 (2006). doi: 10.1116/1.2190677
  16. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.A. Cherkashin, V.N. Nevedomskiy, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.I. Ushanov, M.A. Yagovkina. J. Appl. Phys. 125, 14 (2019). doi: 10.1063/1.5048076
  17. N. Bert, V. Ushanov, L. Snigirev, D. Kirilenko, V. Ulin, M. Yagovkina, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin, I. Kasatkin, V. Chaldyshev. Mater. 15, 21, 7597 (2022). doi: 10.3390/MA15217597
  18. Handbook of Mineralogy / Eds John W. Anthony, Richard A. Bideaux, Kenneth W. Bladh. Mineralogical Society of America, Chantilly, VA 20151-1110, USA
  19. D.P. Shoemaker, T.C. Chasapis, D. Do, M.C. Francisco, D. Young Chung, S.D. Mahanti, A. Llobet, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B 87, 94201 (2013). doi: 10.1103/PhysRevB.87.094201
  20. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett. 80, 3, 377 (2002). doi: 10.1063/1.1426691
  21. V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys. 97, 2 (2005). doi: 10.1063/1.1833581/930326
  22. V.I. Ushanov, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.N. Nevedomsky, N.D. Il'inskaya, N.M. Lebedeva, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Semiconductors 49, 12, 1587 (2015). doi: 10.1134/S1063782615120234/METRICS
  23. Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А.А. Иванов, Н.А. Берт, Д.А. Кириленко, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, И.А. Касаткин, В.В. Чалдышев. ФТП 57, 1, 71 (2023). doi: 10.21883/ftp.2023.01.54933.4545
  24. V.M. Silkin, S.V. Eremeev, V.I. Ushanov, V.V. Chaldyshev. Nanomater. 13, 8, 1355 (2023). doi: 10.3390/NANO13081355
  25. D.J. Eaglesham, L.N. Pfeiffer, K.W. West, D.R. Dykaar. Appl. Phys. Lett. 58, 1, 65 (1991). doi: 10.1063/1.104446
  26. Z. Liliental-Weber, W. Swider, K.M. Yu, J. Kortright, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett. 58, 19, 2153 (1991). doi: 10.1063/1.104990
  27. Л.А.Снигирев, Н.А. Берт, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Чалдышев. ФТП 57, 6, 507 (2023)
  28. D. Akhtar, V.D. Vankar, T.C. Goel, K.L. Chopra. J. Mater. Sci. 14, 4, 988 (1979). doi: 10.1007/BF00550732/METRICS
  29. X.S. Wang, S.S. Kushvaha, Z. Yan, W. Xiao. Appl. Phys. Lett. 88, 23, 233105 (2006). doi: 10.1063/1.2208374
  30. T. Gupta, K. Elibol, S. Hummel, M. Stoger-Pollach, C. Mangler, G. Habler, J.C. Meyer, D. Eder, B.C. Bayer. npj 2D Mater. Appl. 5, 1, 1 (2021). doi: 10.1038/s41699-021-00230-3
  31. A.L. Coleman, M.G. Gorman, R. Briggs, R.S. McWilliams, D. McGonegle, C.A. Bolme, A.E. Gleason, D.E. Fratanduono, R.F. Smith, E. Galtier, H.J. Lee, B. Nagler, E. Granados, G.W. Collins, J.H. Eggert, J.S. Wark, M.I. McMahon. Phys. Rev. Lett. 122, 25 (2019). doi: 10.1103/PhysRevLett.122.255704

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme