Исследована генерация трибоэлектрического тока при трении проводящего зонда о поверхность GaAs со слоем естественного оксида. Показано, что трибоэлектрический ток в GaAs на два порядка превышает ток в Si и полярность тока определяется разностью работ выхода между зондом и поверхностью GaAs. Увеличение трибоэлектрического тока в GaAs по сравнению с Si обусловлено высокой плотностью поверхностных состояний и туннелированием электронов из зонда на них при трении. Ключевые слова: GaAs, трибоэлектричество, поверхностные состояния.