Вышедшие номера
Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке
Минобрнауки России, Госзадание ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 0040-2019-0014
Минобрнауки России, Госзадание ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 0040-2019- 0006
Мынбаева М.Г. 1, Смирнов А.Н. 1, Давыдов В.Ю. 1, Лаврентьев А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru, Alex.Smirnov@mail.ioffe.ru, Valery.Davydov@mail.ioffe.ru, allavren@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 18 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.

Приводятся результаты сравнительного исследования электронных свойств GaN с различным типом кристаллической структуры. Обнаружена ориентационная зависимость вхождения непреднамеренно введенной донорной примеси кислорода, которая определяет значение концентрации свободных электронов в выращенном материале. Ключевые слова: нитрид галлия, керамическая подложка, текстура, поликристалл, рамановская спектроскопия.
  1. J. Cho, Z. Li, E. Bozorg-Grayeli, T. Kodama, D. Francis, F. Ejeckam, F. Faili, M. Asheghi, K.E. Goodson. IEEE Transact.Comp., Packaging Manufacturing Technology 3, 1, 79 (2013)
  2. Z. Cheng, F. Mu, L. Yates, T. Suga, S. Graham. ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 8376 (2020)
  3. M.L. Tsai, J.H. Liao, J.H. Yeh, T.C. Hsu, S.J. Hon, T.Y. Chung. Opt. Express 21, 27102 (2013)
  4. М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.А. Лаврентьев, Е.В. Иванова, В.И. Николаев. Письма в ЖТФ 41, 5, 584 (2015). [M.G. Mynbaeva, A.I. Pechnikov, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, A.A. Lavrent'ev, E.V. Ivanova, V.I. Nikolaev. Tech. Phys. Lett. 41, 3, 246 (2015)]
  5. М.Г. Мынбаева, А.Н. Смирнов, К.Д. Мынбаев. ФТП 55, 7, 554 (2021). [M.G. Mynbaeva, A.N. Smirnov, K.D. Mynbaev. Semiconductors 55, 7, 617 (2021)]
  6. M. Dermeneva, D.V. Muravijova, M.G. Mynbaeva, V.E. Bougrov. J. Phys. Conf. Ser. 1124, 081008 (2018)
  7. M.G. Mynbaeva, J. Phys. Conf. Ser. 2103, 012097 (2021)
  8. H. Harima. J. Phys.: Condens. Matter 14, 8, R967 (2002)
  9. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J.C. Chervin. Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995)
  10. F. Demangeot, J. Frandon, M.A. Renucci, C. Meny, O. Briot, R.L. Aulombard, J. Appl. Phys. 82, 1305 (1997)
  11. C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J.W. Ager III, I. Grzegory, M. Topf, B.K. Meyer. Phys. Rev. B 61, 8202 (2000)
  12. X. Lei, T. Li, G. Ren, X. Su, X. Gao, S. Zheng, H. Wang, K. Xu. J. Cryst. Growth 556, 125987 (2021)
  13. S. Sintonen, P. Kivisaari, S. Pimputkar, S. Suihkonen, T. Schulz, J.S. Speck, S. Nakamura. J. Crys. Growth 456, 43 (2016)